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    FX50SMJ-2 参数 Datasheet PDF下载

    FX50SMJ-2图片预览
    型号： FX50SMJ-2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道功率MOSFET的高速开关使用 [Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 66 K
    品牌： POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号FX50SMJ-2的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FX50SMJ-2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FX50SMJ-2的Datasheet PDF文件第4页  
    PR
    离子。焊割。
    ICAT
    ECIF ECT到c
    p
    人s SUBJ
    散热片
    e
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    不ê段
    om
    S
    IMI
    EL
    元
    N
    三菱P沟道功率MOSFET
    FX50SMJ-2
    高速开关使用
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    r
    DS （ ON）
    r
    DS （ ON）
    V
    DS （ ON）
    y
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    R
    TH（ CH-C ）
    t
    rr
    参数
    （总胆固醇= 25 ℃）下
    测试条件
    I
    D
    = -1mA ，V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = ±20V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = –100V, V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = -1mA ，V
    DS
    = –10V
    I
    D
    = -25A ，V
    GS
    = –10V
    I
    D
    = -25A ，V
    GS
    = –4V
    I
    D
    = -25A ，V
    GS
    = –10V
    I
    D
    = -25A ，V
    DS
    = –10V
    V
    DS
    = –10V, V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    范围
    分钟。
    –100
    —
    —
    –1.0
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值。
    —
    —
    —
    –1.5
    39
    47
    –0.98
    49.2
    11130
    896
    480
    57
    118
    828
    380
    –1.0
    —
    100
    马克斯。
    —
    ±0.1
    –0.1
    –2.0
    50
    61
    –1.25
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    –1.5
    0.83
    —
    单位
    V
    µA
    mA
    V
    mΩ
    mΩ
    V
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    ° C / W
    ns
    漏源击穿电压
    栅极 - 源极漏电流
    漏极 - 源极漏电流
    门源阈值电压
    漏源导通电阻
    漏源导通电阻
    漏源通态电压
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    源 - 漏电压
    热阻
    反向恢复时间
    V
    DD
    = -50V ，我
    D
    = -25A ，V
    GS
    = ± 10V ，R
    根
    = R
    GS
    = 50Ω
    I
    S
    = -25A ，V
    GS
    = 0V
    渠道情况
    I
    S
    = -50A ， DIS / DT = 100A / μs的
    性能曲线
    功耗降额曲线
    250
    功耗P
    D
    (W)
    漏电流I
    D
    (A)
    最大安全工作区
    –3
    –2
    TW =
    10µs
    200
    –10
    2
    –7
    –5
    –3
    –2
    150
    –10
    1
    –7
    –5
    –3
    –2
    T
    C
    = 25°C
    单脉冲
    100µs
    1ms
    10ms
    DC
    100
    50
    –10
    0
    –7
    –5
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    –3
    –2 –3 –5–7
    –10
    0
    –2 –3 –5–7
    –10
    1
    –2 –3 –5–7
    –10
    2
    –2
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏源电压V
    DS
    (V)
    输出特性
    （典型值）
    –100
    V
    GS
    =
    –10V
    –8V
    –6V
    TC = 25°C
    脉冲测试
    输出特性
    （典型值）
    –50
    V
    GS
    =
    –10V
    –4V
    –8V
    –6V
    –5V
    P
    D
    = 150W
    –3V
    漏电流I
    D
    (A)
    –80
    漏电流I
    D
    (A)
    –5V
    –40
    –60
    –4V
    –30
    –40
    –3V
    –20
    –20
    P
    D
    = 150W
    –10
    TC = 25°C
    脉冲测试
    0
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    0
    0
    –1.0
    –2.0
    –3.0
    –4.0
    –5.0
    漏源电压V
    DS
    (V)
    漏源电压V
    DS
    (V)
    Jan.1999

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