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FX6ASJ-3 参数 Datasheet PDF下载

FX6ASJ-3图片预览
型号: FX6ASJ-3
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内容描述: P沟道功率MOSFET的高速开关使用 [Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE]
分类和应用: 晶体开关晶体管脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 52 K
品牌: POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
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S
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EL
N
三菱P沟道功率MOSFET
FX6ASJ-3
高速开关使用
通态电阻VS.
漏电流
(典型值)
1.0
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS ( ON)
(Ω)
T
C
= 25°C
脉冲测试
导通电压VS.
栅源电压
(典型值)
–20
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS ( ON)
(V)
T
C
= 25°C
脉冲测试
–16
0.8
–12
0.6
V
GS
= –4V
–10V
–8
I
D
= –12A
0.4
–4
–6A
–3A
0.2
0
–10
–1
–2 –3 –5–7
–10
0
–2 –3 –5–7
–10
1
–2 –3 –5–7
–10
2
漏电流I
D
(A)
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
(典型值)
–20
T
C
= 25°C
V
DS
= –10V
脉冲测试
2
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
(典型值)
V
DS
= –10V
脉冲测试
T
C
= 25°C
75°C
125°C
漏电流I
D
(A)
正向传递
导纳
y
fs
(S)
–16
10
1
7
5
3
2
–12
–8
10
0
7
5
3
–4
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
2
–7
–10
–1
–2 –3
–5 –7
–10
0
–2 –3
–5 –7
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
(典型值)
3
T
C
H = 25℃
F = 1MH
Z
10
3
V
GS
= 0V
7
5
3
2
2
西塞
开关特性
(典型值)
10
3
T
C
H = 25℃
7 V
DD
= –80V
5 V
GS
= –10V
R
= R
GS
= 50Ω
3
2
t
D(关闭)
切换时间(纳秒)
电容
西塞,科斯,的Crss (PF )
10
2
7
5
3
2
t
r
t
D(上)
t
f
10
2
7
5
3
科斯
CRSS
–2 –3
–5 –7
–10
1
–2 –3
–5 –7
–10
2
–10
0
10
1
–7
–10
–1
–2 –3
–5 –7
–10
0
–2 –3
–5 –7
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
Jan.1999