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FX6KMJ-2 参数 Datasheet PDF下载

FX6KMJ-2图片预览
型号: FX6KMJ-2
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内容描述: P沟道功率MOSFET的高速开关使用 [Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE]
分类和应用: 晶体开关晶体管脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 59 K
品牌: POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
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三菱P沟道功率MOSFET
FX6KMJ-2
高速开关使用
通态电阻VS.
漏电流
(典型值)
1.0
V
GS
=
导通电压VS.
栅源电压
(典型值)
–20
TC = 25°C
脉冲测试
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS ( ON)
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS ( ON)
(Ω)
–16
0.8
–4V
–10V
–12
I
D
=
–12A
0.6
–8
0.4
TC = 25°C
脉冲测试
–4
–6A
–3A
0.2
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
–10
–1
–2 –3 –5 –7
–10
0
–2 –3 –5–7
–10
1
–2 –3 –5–7
–10
2
漏电流I
D
(A)
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
(典型值)
–20
10
1
7
5
4
3
2
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
(典型值)
T
C
= 75°C
25°C
125°C
漏电流I
D
(A)
–12
–8
TC = 25°C
V
DS
= –10V
脉冲测试
正向传递
导纳
y
fs
(S)
–16
10
0
7
5
4
3
2
–4
V
DS
= –5V
脉冲测试
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
10
–1
–7
–1
–10
–2 –3 –4–5 –7
–10
0
–2 –3 –4–5 –7
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
(典型值)
2
西塞
5
3
开关特性
(典型值)
TCH = 25°C
V
GS
= –10V
V
DD
= –50V
R
= R
GS
= 50Ω
t
D(关闭)
10
3
电容
西塞,科斯,的Crss (PF )
7
5
4
3
2
切换时间(纳秒)
2
10
2
7
5
TCH = 25°C
F = 1MH
Z
V
GS
= 0V
科斯
t
f
3
2
t
D(上)
10
2
7
5
4
3
CRSS
10
1
7
5
–7
–10
–1
t
r
–2 –3
–5 –7
–10
0
–2 –3
–5 –7
2
–3 –5–7
–10
0
–2 –3 –5–7
–10
1
–2 –3 –5–7
–10
2
–2 –3
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
Jan.1999