暂定
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
TM400DZ-2H
双可控硅模块
400安培/ 1600伏
允许外壳温度与
平均通态电流
（单相半波）
允许外壳温度与
平均通态电流
（矩形波）
最大
通态特性
150
150
10
4
360
o
电阻式，
电感
每个负载
单身
元素
T
j
= 125
o
C
外壳温度（
o
C)
100
阻性，感性
LOAD PER单
元素
外壳温度（
o
C)
360
o
通态电流（安培）
125
125
10
3
100
75
75
90
o
DC
10
2
50
= 30
o
60
o
90
o
120
o
180
o
50
= 30
o
60
o
120
o
180
o
270
o
25
0
100
200
300
400
通态平均电流（安培）
25
0
100 200 300 400 500 600 700
通态平均电流（安培）
10
1
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
导通电压（伏）
额定浪涌通态电流
GATE特性
最大导通功率
分散特性
（单相半波）
10000
浪涌通态电流（安培）
10
2
通态功耗（瓦）
600
500
60
o
90
o
30
o
120
o
8000
栅极电压（伏）
10
1
V
GFM
= 10V
P
GM
= 10W
V
GT
= 3.0V
P
G（ AV ）
=
3.0W
400
300
200
=
180
o
6000
4000
10
0
T
j
= 25
o
C
I
GT
= 100毫安
V
GDM
= 0.25V
I
GFM
=
4.0A
2000
360
o
100
阻性，感性负载
PER单个元素
0
10
0
10
1
个循环： 60 H
Z
10
2
10
-1
10
1
0
10
2
10
3
10
4
0
100
200
300
400
栅极电流（毫安）
通态平均电流（安培）
最大导通功率
分散特性
（方波）
最大热阻抗
特性（结到外壳）
800
270
o
通态功耗（瓦）
热阻抗，Z
（J -C ）
, (
o
C / W ）
0.12
90
o
180
o
120
o
R
日（J -C ）
= 0.1
o
C / W
DC
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
10
-3
600
=
30
o
60
o
400
200
360
o
阻性，感性负载
PER单个元素
0
0
100 200 300 400 500 600 700
通态平均电流（安培）
10
-2
10
-1
时间（秒）
10
0
10
1
S-56
POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
