TNY264/266-268
过温保护
热关断电路检测结的温度。该
阈值通常设定在135
°C
70
°C
滞后。当
管芯温度超过这个阈值功率
MOSFET被禁用，并且仍然禁止，直到模具
温度下降70
°C,
此时它被重新启用。一
70大滞后
°C
（典型值）被设置，以防止
PC板由于持续故障过热。
电流限制
电流限制电路检测功率MOSFET的电流。
当电流超过内部阈值（I
极限
），则
功率MOSFET关断的那个周期的剩余部分。
电流限制状态机降低电流限制阈值
经中，轻负载下的离散量。
前沿消隐电路，抑制电流限制
比较器，用于短暂时间（t
LEB
）后，功率MOSFET是
接通。前沿消隐时间已定，使
防止由电容及次级整流管的电流尖峰
反向恢复时间不会造成过早终止
开关脉冲。
自动重启
中的一个故障的情况下，如输出过载，输出
短路或开环情况下，
的TinySwitch -II
进入
进入自动重启动操作。内部计数器的时钟
振荡器得到复位每当EN / UV引脚被拉低的时间。如果
在EN / UV引脚未被拉低了50毫秒，功率MOSFET
开关通常是禁用850毫秒（除的情况下，
线欠压条件在这种情况下它是被禁止，直到
条件被删除） 。自动重启动电路使
和关断功率MOSFET的开关，直到故障
条件被移除。图5显示了自动重启动电路
动作中的输出短路的存在。
中的一个输入欠压条件的情况下，对所述切换
PI-2699-030701
功率MOSFET的禁止时间超过正常850毫秒的时间
直到欠压状态结束行。
输入欠压检测电路
直流线电压可以通过连接一个被监控
从直流线路的EN / UV引脚的外部电阻。中
电时，或者当功率MOSFET的开关是
在自动重启动禁用，目前进入EN / UV引脚必须
超过50
µA
启动功率MOSFET的开关。
上电过程中，这是通过保持BYPASS实施
而线下的电压条件存在销至4.8 V 。该
旁路引脚，然后上升，从4.8 V到5.8V时，该行理解
电压情况消失。当电源的开关
MOSFET在自动重启动模式和线路禁用理解
电压条件时，自动重启动计数器被停止。
这使禁止时间从正常的850ms ，直到
线路欠压条件结束。
线路欠压电路还检测当不存在
外部电阻器连接到EN / UV引脚（低于〜 2
µA
进针） 。在这种情况下，输入欠压功能被禁用。
的TinySwitch -II
手术
的TinySwitch -II
器件工作在电流限制模式。当
启用时，振荡器开启功率MOSFET上的
开始每个周期。 MOSFET关断时
电流斜坡上升到电流极限或当直流
最大
极限
抵达。由于采用了当前最高水平的限制和频率
的TinySwitch -II
设计是恒定的，电力输送到
负荷成比例的变压器的初级电感
和峰值初级电流的平方。因此，电源的设计
包括计算所述变压器的初级电感
为最大输出功率需要。如果
的TinySwitch -II
is
选择了正确的功率电平，电流在
计算出的电感将上升到之前的限流
DC
最大
达到极限。
使能功能
的TinySwitch -II
检测EN / UV引脚来判定是否
如前所述不进行下一个开关周期。
周期的顺序来确定所述电流限制。
一个周期一旦开始，就会完成整个周期（即使
当EN / UV引脚状态改变整个周期的一半） 。
此操作导致电源在其输出
电压纹波由输出电容器的量来确定
能量每一个开关周期和反馈的延迟。
在EN / UV引脚信号在次级所产生
电源的输出电压与一个基准进行比较
电压。在EN / UV引脚信号为高电平时，电源
输出电压小于基准电压。
1000
2000
300
200
100
0
10
V
漏
V
5
0
直流输出
0
时间（ms）
图5的TinySwitch - II自动重启动工作。
在典型的应用中， EN / UV引脚由驱动
光电耦合器。光电耦合器晶体管的集电极
isconnected到EN / UV引脚和所述发射极连接到
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B
7/01
POWERINT [ POWER INTEGRATIONS, INC. ]
