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TOP200YAI 参数 Datasheet PDF下载

TOP200YAI图片预览
型号: TOP200YAI
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内容描述: 三端离线式PWM开关 [Three-terminal Off-line PWM Switch]
分类和应用: 开关局域网
文件页数/大小: 16 页 / 164 K
品牌: POWERINT [ POWER INTEGRATIONS, INC. ]
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TOP200-4/14
TOPSwitch的
家庭功能说明(续)
第一时间V
C
到达上
阈值时,高压电流
源被关断,并且PWM
调制器和输出晶体管是
激活时,如图5( a)所示。
在正常操作期间(当
输出电压调节)反馈
控制电流供应V
C
供应
电流。分流调节器保持V
C
at
通常5.7 V通过分流控制
反馈引脚电流超过
所需的直流电源的电流通过
PWM误差信号感应电阻R
E
。该
该引脚的低动态阻抗(Z
C
)
设置误差放大器时的增益
在初级反馈使用
配置。动态阻抗
控制引脚一起的
外部电阻和电容
确定控制环路
补偿的电力系统中。
如果控制引脚的外部
电容(C
T
)应排出到
下限阈值,则输出
MOSFET被关断和控制
电路被放置在低电流待机
模式。高压电流源
导通和充电外部
再次电容。充电电流是
带有负极性示出并
放电电流被示为具有
在图6中的正极性
迟滞自动重启一直比较
V
C
内的典型的4.7到窗口
5.7 V通过将高压电流
源开和关,如图
图5(b ) 。自动重启动电路具有分频
由8计数器从而防止输出
再次接通,直到MOSFET
8次充放电循环有
已过。柜台有效地限制
TOPSwitch的
通过功耗
降低自动重启占空比
通常为5 %。自动重启动继续
循环,直到输出电压调节是
再次实现。
带隙基准
所有的关键
TOPSwitch的
内部电压
是从一个具有温度衍生
补偿的带隙基准。这
参考也被用来产生一个
温度补偿电流源
其修剪成精确地设定
振荡器频率和MOSFET的栅极
驱动电流。
振荡器
内部振荡器线性充
并排出内部电容
两者之间的电压电平来创建
对于脉冲宽度锯齿波形
调制器。该振荡器设置脉冲
宽度调制器/在电流限制锁存器
每个周期的开始。标称
100kHz的频率被选择为
降低EMI ,提高效率
在电源应用中。修剪
的电流基准提高
振荡器的频率精度。
脉宽调制器
脉冲宽度调制器工具
通过驱动电压模式控制环路
输出MOSFET的占空比
成反比的电流
流入控制引脚。该
R两端误差信号
E
由过滤
RC网络与典型的角落
7千赫频率降低的效果
开关噪声。经滤波的误差
信号与内部相比
振荡器产生的锯齿波形生成
占空比的波形。作为控制
电流增加时,占空比
减小。从时钟信号
振荡器设置一个锁而打开的
输出MOSFET 。脉冲宽度
调制器,使锁存器复位,关闭
输出MOSFET 。最大
占空比由的对称性设置
内部振荡器。该调制器具有一个
最小导通时间,以保持当前
的消耗
TOPSwitch的
独立的误差信号。记
该最小电流必须被驱动
进入税前控制引脚
周期开始变化。
栅极驱动器
栅极驱动器被设计成转动
上以控制的速率输出MOSFET
以减少共模EMI。该
栅极驱动电流,修剪
改进的精度。
误差放大器器
分路调节器还可以执行
在主误差放大器的功能
反馈应用。分流
调整器的电压得出
从补偿温度
带隙基准源。误差的增益
放大器通过控制引脚设置
动态阻抗。该控制
销外部电路信号钳位到
V
C
电压电平。控制引脚
电流超过电源电流的是
由并联稳压器分离和
通过R FL OWS
E
作为误差信号。
逐周期电流限制
通过周期峰值漏极电流的周期
限制电路以MOSFET
导通电阻作为电流采样电阻。一
电流限制比较器比较
MOSFET的导通状态下的漏 - 源
电压,V
DS (ON ) ,
与阈值电压。
高漏极电流导致V
DS ( ON)
to
超过阈值电压和匝数
输出MOSFET关断,直到开始
在下一个时钟周期。电流限制
比较器的阈值电压是
温度补偿,以减少
有效的峰值电流的变化
由于极限温度的变化有关
在输出MOSFET ř
DS ( ON)
.
前沿消隐电路抑制
该电流限流比较短
输出MOSFET之后的时间被接通
上。前沿消隐时间
设置这样造成的电流尖峰
初级侧电容和
次级整流管反向恢复
时间不会引起早产
终止开关脉冲。
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