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     功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，1.7 A，350 mΩ，SOT-223
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    GRM0225C1E8R2BA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    10-F006PPA010M701-LT23B79

     Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current;Switching optimized for EMC
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    NSR10T406MX2WT5G

     1.0 A, 40 V, Schottky Barrier Diode
    测试二极管
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    GRM21BB31C106KE15#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GRM0224C1ER70BA03#

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