TOP242-250
需要可用于取较低的R优点
DS （ ON）
为
高英法fi效率/减少散热片面积。同
第二电阻连接在外部之间
流限（X ）引脚（ Y， R或F封装）或多
功能（M ）引脚（ P或G封装）和整流， DC版
高压母线，电流限制降低而增加
线电压，使一个真正的功率限制行动，打击
线的变化来实现。使用RCD钳位，
这种功率限制技术能降低的最大钳位
电压高一线。这允许更高的再FL反射电压
设计并降低钳位损耗。
前沿消隐电路，抑制电流限制
比较器，用于输出MOSFET后很短的时间被接通
上。前沿消隐时间已设定，这样，如果一个
电源设计不当，电流尖峰引起的
初级侧电容及次级端整流器的反向器
恢复时间应该不会导致提前终止的
开关脉冲。
目前的限制是较低的领先后，短期内
前沿消隐时间，如图52所示。这是由于
MOSFET的动态特性。为了避免触发
电流限制在正常运行时，漏极电流的波形
应该留出的信封内。
输入欠压检测（ UV）
上电时，UV保持
TOPSwitch-GX的
关断状态直到输入线
电压达到欠压阈值。在断电时，
UV防止自动重启动后的输出熄灭
调节。这消除了断电故障
由输入大容量电容的放电速度慢
中的应用，如待机电源。单个电阻器
从线电压检测引脚连接（ Y， R或F封装）或
多功能引脚（ P或G封装）的整流， DC版
高压母线上电时设定欠压阈值。一旦
电源接通后， UV阈值是
降低到初始UV阈值40 ％，使
输入电压工作范围（ UV下限） 。如果UV
操作过程中在达到低阈值且未进行电源
供应失去监管，设备将自动关闭并保持关闭
直到UV （高阈值）已经再次达到。如果功率
供应无规律达到UV下限前，
该设备将进入自动重启。在每个自动的端
重新开始循环（S7） ，UV比较器被使能。如果UV
门槛高不超过MOSFET将被禁用
在下一个周期中（参见图8） 。 UV特性可
被禁用独立于OV特性，如图
图19和图23 。
线路过压关断（ OV ）
用于UV相同的电阻还设置了过压阈值
其中，一旦超标，会强制
TOPSwitch-GX的
输出入
断开状态。的OV和UV的比率设为4.5
如在图11可以看出，当MOSFET关断时，
整流器ED直流高压浪涌的能力增大到了
额定电压的MOSFET（ 700 Ⅴ） ，由于不存在
的再FL上的漏极反射电压和泄漏尖峰。一
设置在所述OV阈值到少量迟滞
防止噪声引发。 OV功能可以被禁用
独立的紫外光功能，如图18和32 。
输入电压前馈与DC
最大
减少
使用的相同的电阻为UV和OV还实现线
电压前馈，使输出纹波和
降低了电源输出灵敏度线瞬变。
这种前馈操作是由图7所示
我不同的值
L
（ Y， R或F封装）或I
M
（ P或G封装） 。
请注意，对于同一控制引脚的电流，更高的线
电压导致占空比更小。作为添加
振荡器
（ SAW）的
DMAX
从启用
X，L或M引脚（STOP）
时间
PI-2637-060600
图10.同步时序图。
8
M
12/04
POWERINT [ POWER INTEGRATIONS, INC. ]
