TOP242-250
流限（X ）引脚（ Y， R或F封装）或多
功能（M ）引脚（ P或G封装）和整流， DC版
高压母线，电流限制降低而增加
线电压，使一个真正的功率限制行动，打击
线的变化来实现。使用RCD钳位，
这种功率限制技术能降低的最大钳位
电压高一线。这使得高反射电压
设计并降低钳位损耗。
前沿消隐电路，抑制电流限制
比较器，用于输出MOSFET后很短的时间被接通
上。前沿消隐时间已设定，这样，如果一个
电源设计不当，电流尖峰引起的
初级侧电容及次级端整流器的反向器
恢复时间应该不会导致提前终止的
开关脉冲。
目前的限制是较低的领先后，短期内
前沿消隐时间，如图52所示。这是由于
MOSFET的动态特性。为了避免触发
电流限制在正常运行时，漏极电流波形
形式应该留出的信封内。
输入欠压检测（ UV）
上电时，UV保持
TOPSwitch-GX的
关断状态直到输入线
电压达到下阈值电压。在断电时，
UV防止自动重启动后的输出超出
调节。这消除了由于断电故障
的输入大容量电容中存在的慢放
应用，如待机电源。单个电阻器
从线电压检测引脚连接（ Y， R或F封装）或
多功能引脚（ P或G封装）的整流， DC版
高压母线上电时设定欠压阈值。一旦
电源接通后， UV阈值是
降低到初始UV阈值40 ％，使
输入电压工作范围（ UV下限） 。如果UV
操作过程中在达到低阈值且未进行电源
供应失去调节装置将关闭并保持关闭
直到UV （高阈值）已经再次达到。如果功率
供应无规律达到UV下限前，
该设备将进入自动重启。在每个自动的端
重新开始循环（S7） ，UV比较器被使能。如果UV高
没有超过阈值的MOSFET将被禁用时
在下一个周期（见图8） 。紫外线的功能可以被禁用
独立的OV功能，如图19和23 。
线路过压关断（ OV ）
用于紫外线的电阻也设置过压门限
老，一旦突破，将迫使
TOPSwitch-GX的
产量
进入关闭状态。的OV和UV的比率预设
4.5如在图11可以看出，当MOSFET关断时，
整流器ED直流高压浪涌的能力增大到了
额定电压的MOSFET（ 700 V） ，由于不存在
反射电压和漏电流尖峰的流失。一个小
设置在所述OV阈值到滞后量
防止噪声引发。 OV功能可以被禁用
独立的紫外光功能，如图18和32 。
行前馈与DC
最大
减少
使用的相同的电阻为UV和OV还实现线
电压前馈使输出纹波和
降低了电源输出灵敏度线瞬变。这
前馈操作是由图7所示
我不同的值
L
（ Y， R或F封装）或I
M
（P或G封装
年龄） 。请注意，对于同一控制引脚电流较高，
线电压导致占空比更小。作为添加
特征，所述最大占空比的直流
最大
也从减小
78 ％ （典型值）的电压比UV略高阈值
老至38％ （典型）在OV阈值（参见图7和
11）。限制DC
最大
在更高的线路电压，有助于防止变压器
振荡器
（ SAW）的
DMAX
从启用
X，L或M引脚（STOP）
时间
PI-2637-060600
图10.同步时序图。
8
G
1/02
POWERINT [ POWER INTEGRATIONS, INC. ]
