TOP252-262
4.采用132 kHz开关频率减小了变压器尺寸
对EMI没有显着影响。
5.频率调制降低EMI在全频模式
高负载状态下。
6.迟滞过热关断功能确保自动
恢复从热故障。滞后时间较长可防止电路
电路板过热。
7.封装引脚省略和铅形成提供大
漏极爬电距离。
8.降低自动重启占空比和频率的
时提高电源和负载的保护
开环故障，短路或法规的损失。
在我9更严格的公差
2
F电源COEF网络cient ，限流
减少， PWM增益和热关断阈值。
电压监测（V）的销通常用于线传感
从这个引脚连接一个4 MΩ电阻的整流， DC版
高电压总线来实现输入过压（ OV ） ，欠压
欠压（UV ）和双坡前馈符合DC
最大
减少。在这种模式下，电阻器的值确定
OV / UV阈值和直流
最大
与双线性降低
斜率提高线电压纹波抑制。此外，它也
提供其它阈值来设定锁存和
迟滞输出过压保护（ OVP ） 。该引脚
还使用I作为一个远程开/关
UV
门槛。
外部流限（ X）引脚可用于减少
电流限制外部对一个值接近工作峰
目前，通过一个电阻连接引脚与源极。
该引脚也可以用作一个远程开/关输入。
对于P和G封装电压监测和
外部流限引脚功能组合上
一体的多功能（M ）引脚。然而，一些功能
成为相互排斥的。
的频率（ F）引脚在TOP254-258 Y和E / L包
设置开关频率，在全频PWM模式
为132 kHz时，连接到源极引脚的默认值。一
66 kHz的频率减半选项可以通过连接选择
这个引脚控制引脚来代替。离开这个引脚开路时
不推荐使用。在P ，G和M封装和
TOP259-261 Y封装的，频率在内部设定为
66 kHz的全频PWM模式。
控制（C ）引脚工作
控制引脚是低阻抗节点能够
接收供电和反馈电流。中
正常操作中，分路稳压器用于分离
从供给电流反馈信号。控制引脚电压
V
C
为电源电压的控制电路，包括
MOSFET的栅极驱动器。一个外部旁路电容密切
连接之间的控制和源极引脚为
以提供瞬时栅极驱动电流需要。该
电容连接到这个引脚总量还设置
自动重启动定时以及控制环路补偿。
当整流器版的直流高压加在漏极引脚
在启动期间， MOSFET起初关闭，并且控制
引脚电容通过一个开关的高电压充电
电流源内部连接漏极之间
控制引脚。当控制引脚电压V
C
到达
约5.8 V时，控制电路被激活，并在
软启动开始。在软启动电路逐步增大
漏极峰值电流和开关频率从很低的起点
值到最大漏极电流峰值处的全频
在大约17毫秒。如果没有外部反馈/供电
电流被馈入所述控制引脚通过软启动结束时，
高压电流源关断，控制
销将启动以响应电源电流放电
由控制电路所吸收。如果电源被设计
正常，且无故障，如开路或短路
输出存在，反馈环路将闭合，从而提供外部
控制引脚的电流，前控制引脚电压有
过放电到较低的阈值电压
约4.8 V（内部电源欠压锁定
阈值） 。当外部流入的电流收费
控制引脚到5.8 V的分流稳压器的电压，电流，
过量的芯片所消耗的被分流到源极
通过NMOS电流镜，如图3。
NMOS电流镜的输出电流控制的责任
功率MOSFET的周期，以实现闭环调节。
并联稳压器具有无限的低输出阻抗Z
C
那
设置错误扩增fi er的增益主要使用时
反馈CON组fi guration 。动态阻抗Z
C
的
控制引脚与外部控制引脚
容量设置为控制环路的主极点。
当故障条件如开环或短路
防止溢流外部电流流入控制引脚，
在控制引脚的电容放电对4.8 V.
在4.8 V ，自动重启激活，关闭输出
MOSFET关断，并把控制电路在低电流
待机模式。高压电流源接通和
再外接电容充电。内部带迟滞
电源欠压比较器保持V
C
内的一个窗口
通常4.8 V至5.8 V通过将高压电流
源和关闭，如图11中的自动重启动
电路具有分频计数器16 ，从而防止
再次打开，直到16放电输出MOSFET /
充电周期过去。这是通过使完成
输出MOSFET只有当分频计数器16
达到满计数（ S15）。柜台有效地限制
通过将自动重启TOPSwitch-HX的功率耗散
占空比通常为2 ％。自动重启动模式一直持续到
输出电压的调节是通过关闭再次实现
反馈回路。
振荡器和开关频率
内部振荡器线性充放电的
之间的两个电压电平的内部电容以创建
三角波形的脉冲宽度调制器的定时。
该振荡器设定脉冲宽度调制器/限流锁存器
在每个周期的开始。
132 kHz的标称满开关频率选择
减少变压器尺寸，同时保持了基本的EMI
频率低于150 kHz的。频率引脚（仅
在TOP254-258 Y和E，L封装） ，在短的
控制引脚，降低了充分的开关频率为66千赫
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牧师˚F 01/09
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