TOP252-262
~
~
~
~
V
UV
~
~
~
~
~
~
V
LINE
0V
S15
S14
S13 S12
S0
S15 S14
S13
S12
S0
S15
S14
S13
S12
S0
S15
S15
V
C
0V
5.8 V
4.8 V
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
V
漏
0V
~
~
V
OUT
~
~
~
~
~
~
0V
1
2
3
2
4
PI-4531-121206
注意： S0至S15是自动重启计数器的输出状态
图11.典型波形为（ 1 ）上电（ 2）正常工作（ 3 ）自动重启动（ 4 ）关机。
芯片与外部可编程限流
在逐周期峰值漏极电流限制电路以
MOSFET的导通电阻作为电流采样电阻。电流
限比较器的输出MOSFET导通状态下的漏
源电压V
DS （ ON）
与阈值电压。高流失
电流使V
DS （ ON）
到超过阈值电压和匝数
在输出MOSFET关断，直到下一个时钟周期的开始。
电流限制比较器的阈值电压与温度
补偿，以尽量减少由于电流限制的变化
温度的变化有关在研发
DS （ ON）
输出MOSFET。
TOPSwitch-HX的缺省电流限制在内部预先设定。
然而，与电阻器连接的外部之间
流限（X ）引脚（ Y， E / L和M封装）或多
功能（M ）引脚（P和G封装）和源极引脚（对于
TOP259-261 Y， X引脚连接到信号接地
（G ）引脚） ，电流限制可外部设定为较低
在30％至缺省电流极限的100 ％的水平。通过
设置电流限制低，较大的TOPSwitch -HX超过必要
对于采取的优点所需的可使用的功率
低ř
DS （ ON）
对于高英法fi效率/减少散热片
要求。 TOPSwitch-HX的电流限制降低初始
通过X引脚（或M引脚）耐受性得到了提高
显着与以前的TOPSwitch-GX的比较。有
第二电阻连接在外部流之间
限（X ）引脚（ Y， E / L和M封装）或多功能（M ）
引脚（ P和G封装）和整流器ED高压直流总线，
限流减少随电压升高，从而使
不受电压变化的真实功率限制的操作是
实现的。使用RCD钳位，这种功率限制
技术能降低高线的最大钳位电压。这
允许更高的佛罗里达州重新反射电压的设计并降低
钳位损耗。
前沿消隐电路，抑制电流限制
比较器，用于输出MOSFET后很短的时间被接通
上。前沿消隐时间已设定，这样，如果一个
电源设计不当，电流尖峰引起的
初级侧电容及次级端整流器的反向器
恢复时间应该不会导致提前终止的
开关脉冲。
目前的限制是较低的领先后，短期内
前沿消隐时间。这是由于动态特性
在MOSFET 。在启动和故障情况下，控制器
防止过高的漏极电流通过降低开关
频率。
输入欠压检测（ UV）
上电时，UV保持TOPSwitch-HX的关闭，直到输入线
电压达到欠压阈值。在断电时，
UV防止自动重启动后的输出超出
调节。这消除了由于缓慢的功率下降的毛刺
输入大容量电容的放电
应用，如待机电源。单个电阻器
从电压监测引脚（ Y， E / L和M连接
包）或多功能引脚（P和G封装）的
整流器编在电源的高压直流总线设定欠压阈值
了。一旦电源接通后，在紫外
阈值降低到初始UV阈值的44％ ，以允许
扩展的输入电压工作范围（ UV下限） 。如果
工作期间达到UV下限没有
电源失去监管，该设备将关闭，保持
关闭，直到UV （高阈值）已经再次达到。如果
电源在达到UV前低失调
阈值时，设备将进入自动重启。在每个端
自动重启动循环（ S15 ） ， UV比较有效。如果
UV高门槛不超标时，MOSFET会
在下一个周期内禁止（见图11） 。 UV特性
可以禁用独立于OV功能。
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牧师˚F 01/09
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