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PSBI33/06 参数 Datasheet PDF下载

PSBI33/06图片预览
型号: PSBI33/06
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内容描述: 整流模块的功率因数校正 [Rectifier Module for Power Factor Correction]
分类和应用: 功率因数校正
文件页数/大小: 2 页 / 90 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
 浏览型号PSBI33/06的Datasheet PDF文件第2页  
ECO -PAC
TM
2
整流模块
PSBI 33/06
对于功率因数校正
快速的单相整流器
超快速升压斩波
初步数据表
X
KE
V P马云
I
C25
V
CES
I
FAV25
V
RRM
= 44 A
= 600 V
= 15 A
= 1200 V
1
3
IGBT
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
RBSOA
t
SC
测试条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
连续
T
C
= 25 °C
T
S
= 80 °C
V
CE
= 600 V ,R
G
= 10
Ω,
T
VJ
= 125 °C
钳位感性负载, L = 100 μH
V
CE
= 600 V,
V
GE
=
±15
V ,R
G
= 10
Ω,
T
VJ
= 125 °C
,
不重复
最大额定值
600
±20
44
30
I
CM
= 100
V
CEK
≤V
CES
10
µs
V
V
A
A
A
NTC可选
对于确切的引脚配置见
最终发展
特点
与DCB陶瓷封装基座
板和焊接引脚PCB
MOUNTING
隔离电压超过3000 V~
平面glasspassivated芯片
集成 - 高水平
只有一个功率半导体
需要的模块为整个
PFC整流器
标准的PFC控制IC可用
快速整流二极管,用于增强
EMC行为
NPT IGBT与低饱和度
电压,超快速开关
能力,高RBSOA和
短路耐用性
内部串联
HiPerFRED回流二极管
对于快速和软反向恢复
在高开关频率
符号
V
CE ( SAT )
V
CE ( SAT )
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
V
GE (日)
I
CES
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
R
thJC
R
thJH
测试条件
特征值
T
VJ
= 25℃,除非另有说明
V
GE
= 15 V,I
C
= 10 A,T
VJ
= 25 °C
V
GE
= 15 V,I
C
= 10 A,T
VJ
= 25 °C
马克斯。
典型值。
分钟。
马克斯。
1.8
1.5
1.6
3
5
0.04
1
100
31
50
291
70
0.60
0.31
1600
140
0.96
待定
V
V
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
nC
K / W
K / W
T
VJ
= 125 °C
典型值。
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0 V
,
T
VJ
= 25 °C
马克斯。
T
VJ
= 125 °C
典型值。
}
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
马克斯。
典型值。
典型值。
典型值。
典型值。
典型值。
典型值。
典型值。
马克斯。
马克斯。
感性负载,T
VJ
= 125 °C
V
CE
= 400 V,I
C
= 10 A
V
GE
=
±15
V ,R
G
= 10
信息适用于印刷电路板
焊接
UL注册,E 148688
V
CE
= 25 V , F = 1兆赫,V
GE
= 0 V
V
CE
= 480 V , IC = 10 A,V
GE
= 15 V
典型值。
应用
单相整流用
功率因数校正( PFC )
电源的谐波含量低
当前
电源的电流和电压同相
宽输入电压范围,控制
输出电压
模块
符号
T
VJ
T
JM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
测试条件
最大额定值
-40...+150
150
-40...+150
°C
°C
°C
V
Nm
g
V
50/60赫兹
Iisol
1毫安
典型值。
T = 1分
t=1s
3000
3600
1.5-2.0
24
注意事项:
这些装置是否灵敏。
静电放电。用户应
遵守适当的ESD处理措施。
根据IEC 60747的数据指的是单个二极管
除非另有说明
安装力矩(M 4 )
2005年POWERSEM保留更改限制,试验条件和尺寸的权利
POWERSEM有限公司, Walpersdorfer海峡。 53
ð - 91126施瓦巴赫
电话: 09122 - 9764 - 0传真: 09122 - 9764 - 20