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PSHI100/06 参数 Datasheet PDF下载

PSHI100/06图片预览
型号: PSHI100/06
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内容描述: IGBT模块的H桥配置 [IGBT Module H-Bridge Configuration]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 132 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
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PSHI 100/06
150
A
120
V
GE
= 17 V
15 V
13 V
150
A
120
90
11V
V
GE
= 17 V
15 V
13 V
I
C
I
C
90
60
30
0
11V
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 25°C
9V
60
30
0
9V
42T60
42T60
0
1
2
3
4
V
CE
5
V
6
0
1
2
3
4
V
CE
5
V
6
图。 1典型值。输出特性
150
A
120
I
C
V
CE
= 20 V
图。 2典型。输出特性
90
A
75
I
F
60
45
90
60
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 25°C
30
15
42T60
30
0
0
42T60
4
6
8
10
12
V
GE
14
V
16
0,0
0,5
1,0
V
F
1,5
V
2,0
图。 3典型。传输特性
50
40
A
V
CE
= 300 V
I
C
= 50 A
图。 4典型。正向特性
续流二极管
150
120
ns
90
T
VJ
= 125°C
V
R
= 300 V
I
F
= 30 A
I
RM
20
V
15
V
GE
I
RM
t
rr
t
rr
30
20
10
60
30
42T60
5
10
42T60
0
0
0
40
80
120
Q
G
nC
160
0
200
400
600
-di / dt的
800
A / μs的
1000
0
图。 5典型。打开栅极电荷
图。 6典型。关闭的特点
续流二极管
2002年POWERSEM保留更改限制,试验条件和尺寸的权利
POWERSEM有限公司, Walpersdorfer海峡。 53
ð - 91126施瓦巴赫
电话: 09122 - 9764 - 0传真: 09122 - 9764 - 20