ECO -PAC
TM
2
IGBT模块
短路SOA能力
广场RBSOA
F10
A1
初步数据表
PSHI十二分之二十五*
I
C25
= 30 A
V
CES
= 1200 V
V
CE （ sat）的典型值。
= 2.6 V
K10
K13
H13
S18
IGBT的
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
I
CM
V
CEK
t
SC
（ SCSOA ）
P
合计
符号
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 82
Ω;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ，钳位感性负载; L = 100 μH
N9
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
NTC
P18
* NTC可选
PSHI十二分之二十五*
V
V
A
A
A
µs
W
特点
最大额定值
1200
± 20
30
21
35
V
CES
10
130
•
•
•
•
•
•
V
CE
= V
CES
; V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 82
Ω;
T
VJ
= 125°C
不重复
T
C
= 25°C
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
2.6
2.9
3.3
6.5
0.9
3.7
100
100
75
500
70
2.7
2.1
1
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
R
thJC
R
thJH
I
C
= 25 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 0.6毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
;
V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
4.5
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
NPT IGBT技术
低饱和电压
低开关损耗
广场RBSOA ，无闩锁
高抗短路能力强
正温度
系数
易
parallelling
•
MOS输入，压控
•
超快速回流
二极管
•
焊引脚PCB
MOUNTING
•
封装与铜底板
板
•
隔离电压3000伏
∼
•
UL注册，E 148688
优势
V
CE
= 0 V; V
GE
= ± 20 V
•
•
•
•
•
•
•
感性负载，T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 17.5 A
V
GE
= 15/0 V ; ř
G
= 82
Ω
空间和减轻重量
降低保护电路
包装设计的波
焊接
高功率密度
容易用两个螺丝安装
典型应用
电机控制
- 直流电动机的电枢绕组
- 直流电动机的励磁绕组
- 同步电机的励磁绕组
变压器初级绕组供电
- 电源
- 焊接
- 透视
- UPS
- 电池充电器
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
（每个IGBT ）
与散热器化合物（ 0.42 K / m.k的; 50微米）
1.92
0.96 K / W
K / W
注意事项：
这些装置是否灵敏。
静电放电。用户应
遵守适当的ESD处理措施。
2002年POWERSEM保留更改限制，试验条件和尺寸的权利
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