ECO -PAC
TM
2
IGBT模块
初步数据表
PSHI 50D / 12 *
I
C25
= 49 A
V
CES
= 1200 V
V
CE （ sat）的典型值。
= 3.1 V
短路SOA能力
广场RBSOA
F10
A1
H13
S18
IGBT的
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
I
CM
V
CEK
t
SC
（ SCSOA ）
P
合计
符号
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
N9
NTC
P18
PSHI 50D / 12 *
* NTC可选
特点
1200
± 20
49
33
50
V
CES
10
208
V
V
A
A
A
µs
W
最大额定值
V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 47
Ω;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ，钳位感性负载; L = 100 μH
V
CE
= V
CES
; V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 47
Ω;
T
VJ
= 125°C
不重复
T
C
= 25°C
条件
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
3.1
3.5
4.5
3.7
6.5
V
V
V
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
R
thJC
R
thJH
I
C
= 50 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 1毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
;
V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
NPT IGBT技术
低饱和电压
低开关损耗
广场RBSOA ，无闩锁
高抗短路能力强
正温度系数为
易parallelling
MOS输入，压控
超高速续流二极管
焊引脚用于PCB安装
包以铜基板
隔离电压3000伏
∼
UL注册，E 148688
优势
空间和减轻重量
降低保护电路
包装设计的波
焊接
高功率密度
容易用两个螺丝安装
1.1毫安
4.2毫安
180
100
70
500
70
4.6
3.4
1.65
1.2
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
0.6 K / W
K / W
V
CE
= 0 V; V
GE
= ± 20 V
感性负载，T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 30 A
V
GE
= 15/0 V ; ř
G
= 47
Ω
典型应用
电机控制
- 直流电动机的电枢绕组
- 直流电动机的励磁绕组
- 同步电机的励磁绕组
变压器初级绕组供电
- 电源
- 焊接
- 透视
- UPS
- 电池充电器
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
（每个IGBT ）
与散热器化合物（ 0.42 K / m.k的; 50微米）
注意事项：
这些装置是否灵敏。
静电放电。用户应
遵守适当的ESD处理措施。
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