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PSHI50/12 参数 Datasheet PDF下载

PSHI50/12图片预览
型号: PSHI50/12
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内容描述: IGBT模块 [IGBT Module]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 132 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
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PSHI 50/12
80
A
I
C
V
GE
= 17 V
15 V
13 V
11V
80
A
I
C
60
V
GE
= 17V
15V
13V
11V
60
40
T
VJ
= 25°C
40
20
9V
20
9V
T
VJ
= 125°C
0
42T120
0
1
2
3
4
V
CE
5
6
V
7
0
42T120
0
1
2
3
4
5
V
CE
6
V
7
图。 1典型值。输出特性
80
A
I
C
50
40
A
30
图。 2典型。输出特性
60
V
CE
= 20V
I
F
40
20
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 25°C
20
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 25°C
42T120
10
0
42T120
0
4
6
8
10
12
V
GE
14
V
16
0
1
2
V
F
3
V
4
图。 3典型。传输特性
图。 4典型。正向特性
续流二极管
50
t
rr
20
V
200
160
ns
120
T
VJ
= 125°C
V
R
= 600 V
I
F
= 15 A
I
RM
15
V
GE
40
A
I
RM
t
rr
30
10
V
CE
= 600V
I
C
= 25A
20
10
42T120
80
40
5
0
0
42T120
0
40
80
120
Q
G
nC
160
0
200
400
600
-di / dt的
A / μs的
800
1000
0
图。 5典型。打开栅极电荷
图。 6典型。关闭的特点
续流二极管
2002年POWERSEM保留更改限制,试验条件和尺寸的权利
POWERSEM有限公司, Walpersdorfer海峡。 53
ð - 91126施瓦巴赫
电话: 09122 - 9764 - 0传真: 09122 - 9764 - 20