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PSHM120-01 参数 Datasheet PDF下载

PSHM120-01图片预览
型号: PSHM120-01
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 127 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
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ECO -PAC
TM
2
功率MOSFET
在ECO -PAC 2
N沟道增强模式
高dv / dt ,低吨
rr
, HDMOS
TM
家庭
PSHM 120/01
L4
L6
L9
P18
R18
A1
E10
F10
K12
NTC
K13
I
D25
V
DSS
R
DSON
t
rr
= 75 A
= 100 V
= 25 mΩ
& LT ;
200纳秒
初步数据表
MOSFET的
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
符号
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 2
T
C
= 25°C
测试条件
最大额定值
100
100
±20
±30
75
300
75
30
5
300
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
W
特点
• HiPerFET
TM
技术
- 低R
DSON
- 高频低栅极电荷
手术
- 松开感应开关( UIS)
能力
- dv / dt的耐用性
- 快速内在反向二极管
• ECO -PAC 2包
- 孤立的背面
- 对散热器的爬电距离扩大
- 应用型引出线
- 低电感的电流路径
- 高可靠性
- 焊引脚用于PCB安装
• UL注册,E 148688
应用
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
100
2.0
4
±100
250
1
25
25
30
4500
1600
800
20
60
80
60
180
36
85
0.25
30
110
110
90
260
70
160
0.5
V
V
nA
µA
mA
m
S
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
= ±20 V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 • V
DSS
; T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V;
T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T < 300微秒,占空比ð < 2 %
V
DS
= 10 V ;我
D
= I
D25
,脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
•驱动器和电源
•电池或燃料电池为动力的
pF
•汽车,工业车辆等。
pF
pF
•主电源的二次侧
耗材
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
Ω,
(外部)
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
nC
nC
nC
K / W
K / W
与散热器化合物( 0.42 K / m.k的; 50微米)
注意事项:
这些器件对静电放电敏感。用户
应遵守适当的ESD处理措施。
2005年POWERSEM保留更改限制,试验条件和尺寸的权利
POWERSEM有限公司, Walpersdorfer海峡。 53
ð - 91126施瓦巴赫
电话: 09122 - 9764 - 0传真: 09122 - 9764 - 20