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PSIG75-06 参数 Datasheet PDF下载

PSIG75-06图片预览
型号: PSIG75-06
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内容描述: IGBT模块 [IGBT Module]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 205 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
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ECO -PAC 2
IGBT模块
初步数据表
TM
PSIG 75/06
PSI 75 / 06 *
PSIS 75 / 06 *
PSSI 75 / 06 *
AC 1
L9
T16
X15
NTC
X16
IK 10
I
C25
= 69 A
V
CES
= 600 V
V
CE ( sat)的典型值。
= 2.3 V
X15
NTC
X16
L9
F1
AC 1
IK 10
OP 9
L9
E2
K10
X16
X13
GH 10
NTC
X15
VX 18
PSI 75 / 06 *
IGBT的
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
I
CM
V
CEK
t
SC
( SCSOA )
P
合计
符号
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
PSIS 75 / 06 *
PSSI 75 / 06 *
LMN S
最大额定值
600
± 20
69
48
100
V
CES
10
208
V
V
A
A
A
µs
一个IJK
PSIG 75 / 06 *
V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 22
Ω;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ,钳位感性负载; L = 100 μH
V
CE
= V
CES
; V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 22
Ω;
T
VJ
= 125°C
不重复
T
C
= 25°C
条件
* NTC可选
特点
W
特征值
(T
VJ
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
2.3
2.8
4.5
2.8
6.5
0.8
4.4
100
50
55
300
30
1.8
1.4
2.8
1.2
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
0.6 K / W
K / W
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
R
thJC
R
thJH
I
C
= 75 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 1毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
;
V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
与DCB陶瓷封装
BASE PLATE
隔离电压3000伏
平面玻璃钝化芯片
低正向压降
信息适用于印刷电路板
焊接
UL注册,E 148688
应用
AC和DC电机控制
交流伺服和机器人的驱动器
电源
逆变焊机
V
CE
= 0 V; V
GE
= ± 20 V
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 300 V ;我
C
= 40 A
V
GE
= 15/0 V ; ř
G
= 22
优势
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度,
功率循环能力
高功率密度
小,重量轻
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
(每个IGBT )
与散热器化合物( 0.42 K / m.k的; 50微米)
注意事项:
这些装置是否灵敏。
静电放电。用户应
遵守适当的ESD处理措施。
2002年POWERSEM保留更改限制,试验条件和尺寸的权利
POWERSEM有限公司, Walpersdorfer海峡。 53
ð - 91126施瓦巴赫
电话: 09122 - 9764 - 0传真: 09122 - 9764 - 20