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PSII3X10 参数 Datasheet PDF下载

PSII3X10图片预览
型号: PSII3X10
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内容描述: IGBT模块 [IGBT Module]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 141 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
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ECO -PAC 1
TM
IGBT模块
Sixpack
初步数据表
PSII 3×10 / 06
I
C25
= 19 A
V
CES
= 600 V
V
CE ( sat)的典型值。
= 1.9 V
L
NTC
K
H
1/H
5/H
2-3
1/A
6-7
5/A
A
G
4/N
8/G
N
8/N
4/G
IGBT的
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
I
CM
V
CEK
t
SC
( SCSOA )
P
合计
符号
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 82
Ω;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ,钳位感性负载; L = 100 μH
V
CE
= 720 V; V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 82
Ω;
T
VJ
= 125°C
不重复
T
C
= 25°C
条件
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
600
± 20
19
14
20
V
CES
10
73
µs
W
V
V
A
A
A
PSII 3×10 / 06
特点
特征值
(T
VJ
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
1.9
2.2
4.5
2.7
100
35
35
230
30
0.4
0.3
600
39
3.4
2.4
6.5
0.6
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
nC
1.7 K / W
K / W
NPT IGBT的
- 正温度系数
饱和电压
- 快速切换
FRED二极管
- 快速反向恢复
- 低正向电压
行业标准包装
- 焊引脚用于PCB安装
- 孤立DCB陶瓷基地开发平台
e
UL注册,E 148688
应用
交流驱动器
电源功率因数
更正
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
R
thJC
R
thJH
I
C
= 10 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 0.35毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
;
V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
优势
V
CE
= 0 V; V
GE
= ± 20 V
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 300 V ;我
C
= 10 A
V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 82
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环能力
高功率密度
小,重量轻
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 300 V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 10 A
(每个IGBT )
与散热器化合物( 0.42 K / m.k的; 50微米)
注意事项:
这些设备是
敏感的静电放电。
用户应遵守适当的ESD
操作注意事项。
2005年POWERSEM保留更改限制,试验条件和尺寸的权利
POWERSEM有限公司, Walpersdorfer海峡。 53
ð - 91126施瓦巴赫
电话: 09122 - 9764 - 0传真: 09122 - 9764 - 20