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PSII30-12 参数 Datasheet PDF下载

PSII30-12图片预览
型号: PSII30-12
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内容描述: IGBT模块 [IGBT Module]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 513 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
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ECO -TOP
TM
1
IGBT模块
短路SOA能力
广场RBSOA
初步数据表
S15
R15
A15
A7
A9
D1
A1
U1
V1
G15
V12
V13
K1
G1
V3
V6
N15
V9
V10
Q1
N1
PSII十二分之三十〇 *
I
C80
=
V
CES
=
V
CE ( sat)的典型值。
=
33 A
1200 V
3.1 V
ECO -TOP
TM
1
IGBT的
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
I
CM
V
CEK
t
SC
( SCSOA )
P
合计
符号
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 47
Ω;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ,钳位感性负载; L = 100 μH
V
CE
= V
CES
; V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 47
Ω;
T
VJ
= 125°C
不重复
T
C
= 25°C
条件
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
R
thJC
R
thJH
I
C
= 50 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 1毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
;
V
CE
= 0 V; V
GE
= ± 20 V
t
e
e
H·R
性S E
TA次
。U
平负
直到ê
t
νs的
n
TI吨
e
A C
t
N个U OPM
TE OD报
ř EV
P(D)
最大额定值
1200
± 20
典型的画面,对于销
配置见外形
制图
* NTC可选
V
V
49
33
50
A
A
A
V
CES
10
µs
W
208
特点
(T
VJ
特征值
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
3.1
3.5
3.7
V
V
4.5
6.5
V
与DCB陶瓷封装
BASE PLATE
隔离电压3000伏
平面玻璃钝化芯片
低正向压降
信息适用于印刷电路板
焊接
UL发布应用
V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
1.1
4.2
mA
mA
应用
180
nA
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 30 A
V
GE
= 15/0 V ; ř
G
= 47
100
70
500
70
4.6
3.4
1.65
1.2
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
0.6 K / W
K / W
AC和DC电机控制
交流伺服和机器人的驱动器
电源
逆变焊机
优势
容易用四个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度,
功率循环能力
高功率密度
小,重量轻
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
(每个IGBT )
与散热器化合物( 0.42 K / m.k的; 50微米)
注意事项:
这些装置是否灵敏。
静电放电。用户应
遵守适当的ESD处理措施。
2005年POWERSEM保留更改限制,试验条件和尺寸的权利
POWERSEM有限公司, Walpersdorfer海峡。 53
ð - 91126施瓦巴赫
电话: 09122 - 9764 - 0传真: 09122 - 9764 - 20