IGBT模块
初步数据表
S15
R15
A15
A7
A9
D1
A1
U1
V1
G15
V12
V13
K1
G1
V3
V6
N15
V9
V10
Q1
N1
PSII十二分之七十五*
I
C80
=
V
CES
=
V
CE （ sat）的典型值。
=
ECO -TOP
TM
1
60 A
1200 V
2.7 V
IGBT的
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
I
CM
V
CEK
t
SC
（ SCSOA ）
P
合计
符号
条件
最大额定值
1200
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
V
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
R
thJC
R
thJH
t
e
e
H·R
性S E
TA次
。U
平负
直到ê
t
νs的
n
TI吨
e
A C
t
N个U OPM
TE OD报
ř EV
P（D）
* NTC可选
± 20
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
90
60
A
A
V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 22
Ω;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ，钳位感性负载; L = 100 μH
100
V
CES
A
V
CE
= V
CES
; V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 22
Ω;
T
VJ
= 125°C
不重复
T
C
= 25°C
10
µs
W
379
典型的画面，对于销
配置见外形
制图
特点
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
条件
(T
VJ
特征值
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
2.7
3.0
3.2
I
C
= 75 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 2毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
;
V
V
4.5
6.5
V
与DCB陶瓷封装
BASE PLATE
隔离电压3000伏
∼
平面玻璃钝化芯片
低正向压降
信息适用于印刷电路板
焊接
UL发布应用
V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
3.7
12.5
200
mA
mA
应用
V
CE
= 0 V; V
GE
= ± 20 V
nA
感性负载，T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 60 A
V
GE
= 15/0 V ; ř
G
= 22
Ω
100
70
500
70
9.1
6.7
3.3
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
AC和DC电机控制
交流伺服和机器人的驱动器
电源
逆变焊机
优势
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
（每个IGBT ）
与散热器化合物（ 0.42 K / m.k的; 50微米）
nF
0.33 K / W
K / W
0.66
容易用四个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度，
功率循环能力
高功率密度
小，重量轻
注意事项：
这些装置是否灵敏。
静电放电。用户应
遵守适当的ESD处理措施。
2005年POWERSEM保留更改限制，试验条件和尺寸的权利
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