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PSKH224 参数 Datasheet PDF下载

PSKH224图片预览
型号: PSKH224
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内容描述: 可控硅/二极管模块 [Thyristor/Diode Modules]
分类和应用: 可控硅二极管
文件页数/大小: 4 页 / 157 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
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晶闸管模块
可控硅/二极管模块
初步数据表
PSKT 224
PSKH 224
I
真有效值
I
TAVM
V
RRM
= 2× 400 A
= 2× 240
= 2000-2200 V
3
76
5
4
V
RSM
V
帝斯曼
V
2100
2300
V
RRM
V
DRM
V
2000
2200
TYPE
1
2
PSKT 224 / 20io1
PSKT 224 / 22io1
PSKH 224 / 20io1
PSKH 224 / 22io1
3
6 7 1
5 4 2
符号
I
真有效值
I
TAVM
I
TSM
测试条件
T
VJ
= T
VJM
T
C
= 85°C ; 180 °正弦波
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
吨= 10毫秒( 50赫兹)
T = 8.3毫秒( 60赫兹)
吨= 10毫秒( 50赫兹)
T = 8.3毫秒( 60赫兹)
吨= 10毫秒( 50赫兹)
T = 8.3毫秒( 60赫兹)
吨= 10毫秒( 50赫兹)
T = 8.3毫秒( 60赫兹)
最大额定值
400
240
8000
8500
7000
7500
320000
303000
245000
240000
100
500
1000
120
60
20
10
-40 ...130
130
-40 ...125
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / μs的
A / μs的
V / μs的
W
W
W
V
°C
°C
°C
V~
V~
4.5-7/40-62
11-13/97-115
750
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
特点
PSKT
3
1
5 42
PSKH
i
2
dt
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
( di / dt的)
cr
T
VJ
= T
VJM
重复,
I
T
= 750 A
F = 50 Hz时,T
P
= 200 µs
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 1A
非重复性的,我
T
= I
TAVM
di
G
/ DT = 1 A / μs的
T
VJ
= T
VJM
; V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
∞;
方法1 (线性电压升高)
T
VJ
= T
VJM
I
T
= I
TAVM
t
P
= 30 µs
t
P
= 500 µs
( dv / dt的)
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
国际标准套餐
直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
BASE PLATE
平面钝化芯片
隔离电压3600 V〜
UL注册,E 148688
键控门/阴极双引脚
应用
电机控制
电源转换器
热和温度控制。
工业窑炉和化工
过程的
照明控制
非接触式开关
50/60赫兹, RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
优势
安装扭矩( M6 )
终端连接扭矩( M8 )
典型的包括螺钉
空间和减轻重量
安装简单用两个螺丝
提高温度和功率
循环能力
降低保护电路
根据IEC 60747的数据和指单个晶闸管/二极管,除非另有说明。
2002年POWERSEM保留更改限制,试验条件和尺寸的权利
POWERSEM有限公司, Walpersdorfer海峡。 53
ð - 91126施瓦巴赫
电话: 09122 - 9764 - 0传真: 09122 - 9764 - 20