晶闸管模块
可控硅/二极管模块
初步数据表
V
RSM
V
帝斯曼
V
900
1300
1500
1700
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
第1版
PSKT 26 / 08io1
PSKT 26 / 12io1
PSKT 26 / 14io1
PSKT 26 / 16io1
第8版
PSKT
PSKT
PSKT
PSKT
TYPE
PSKT 26
PSKH 26
I
真有效值
I
TAVM
V
RRM
= 2× 50 A
= 2× 32 A
= 800-1600 V
TO- 240 AA
第8版
PSKH
PSKH
PSKH
PSKH
26/08io8
26/12io8
26/14io8
26/16io8
1
2
3
6
7
4
5
26/08io8
26/12io8
26/14io8
26/16io8
符号
I
真有效值
, I
疲劳风险管理
I
TAVM
, I
FAVM
I
TSM
, I
FSM
测试条件
T
VJ
= T
VJM
T
C
= 75°C;
T
C
= 85°C;
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
180 °正弦波
180 °正弦波
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
最大额定值
50
32
27
520
560
460
500
1350
1300
1050
1030
150
500
1000
10
5
0.5
10
-40...+125
125
-40...+125
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / μs的
A / μs的
V / μs的
●
3
6 7 1
5 4 2
PSKT
第1版
3
6 1
5 2
PSKT
第8版
3
1
5 2
∫
i
2
dt
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
PSKH
第8版
（ di / dt的）
cr
T
VJ
= T
VJM
重复的，我
T
= 45 A
F = 50 Hz时，T
P
=200 µs
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.45 A
非重复性的，我
T
= I
TAVM
di
G
/ DT = 0.45 A / μs的
T
VJ
= T
VJM
;
V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
∞;
方法1 （线性电压升高）
T
VJ
= T
VJM
I
T
= I
TAVM
t
P
= 30 µs
t
P
= 300 µs
特点
●
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
W
W
W
V
°C
°C
°C
V~
V~
●
●
●
●
国际标准封装，
JEDEC TO- 240 AA
直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
BASE PLATE
平面钝化芯片
隔离电压3600 V〜
UL注册，E 148688
门极 - 阴极双引脚1版
应用
●
●
●
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1毫安
T = 1分
t=1s
3000
3600
直流电机控制
软启动交流电机控制器
光，热和温度控制
安装扭矩（ M5 ）
终端连接扭矩（ M5 ）
典型的包括螺钉
2.5-4.0 / 22-35牛米/ lb.in 。
2.5-4.0 / 22-35牛米/ lb.in 。
90
g
优势
●
●
●
●
根据IEC 60747的数据和指单个晶闸管/二极管，除非另有说明。
空间和减轻重量
安装简单用两个螺丝
提高温度和功率
循环能力
降低保护电路
2002年POWERSEM保留更改限制，试验条件和尺寸的权利
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