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PSKH80 参数 Datasheet PDF下载

PSKH80图片预览
型号: PSKH80
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内容描述: 可控硅/二极管模块 [Thyristor/Diode Modules]
分类和应用: 可控硅二极管
文件页数/大小: 2 页 / 159 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
 浏览型号PSKH80的Datasheet PDF文件第2页  
ECO -PAC
TM
2
可控硅/二极管模块
初步数据表
PSKH 80
I
TAVM
V
RRM
= 80 A
= 600-1200V
V
RSM
V
RRM
TYPE
V
帝斯曼
V
DRM
(V)
(V)
700 600 PSKH 80/06
900 800 PSKH 80/08
1300 1200 PSKH一十二分之八十零
VX-18
GI-10
E-3
AC-1
符号
I
TAVM
I
TSM
测试条件
T
C
= 85 °C,
T
VJ
= 45 °C
V
R
= 0
V
R
= 0
T
VJ
= 45 °C
V
R
= 0
V
R
= 0
180 °正弦波
最大额定值
80
550
600
500
550
1500
1490
1250
1250
150
A
A
A
A
A
A²s
A²s
A²s
A²s
A / μs的
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
特点
T
VJ
= 125°C T = 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
i
2
dt
隔离电压3600 V
平面玻璃钝化芯片
低正向压降
信息适用于印刷电路板
焊接
UL注册,E 148688
T
VJ
= 125°C T = 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
( di / dt的)
cr
T
VJ
= 125°C的重复,我
T
= 250 A
F = 50Hz的,T
P
=200µs
V
D
=2/3V
DRM
I
G
=0.45 A
非重复性的,我
T
= I
TAVM
应用
500
1000
10
5
0.5
10
A / μs的
V / μs的
W
W
W
V
°C
°C
°C
V
V
di
G
/dt=0.45A/µs
( dv / dt的)
cr
P
GM
P
GAVM
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
T
VJ
= 125°C V
D
=2/3V
DRM
R
GK
=
∞,
方法1 (线性电压升高)
T
VJ
• 125 ° (C T)
P
=30µs
I
T
=I
TAVM
t
P
=300µs
直流电机控制
光照和温度控制
软启动交流电机控制器
固态开关
优势
-40... + 125
125
-40... + 125
50/60赫兹, RMS T = 1分
I
ISOL
1毫安
安装力矩
典型值。
t=1s
(M4)
3000
3600
1.5 - 2.0
14 - 18
24
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环能力
高功率密度
小,重量轻
重量
Nm
lb.in.
g
根据IEC 60747的数据指的是单个晶闸管,除非另有说明
2004 POWERSEM保留更改限制,试验条件和尺寸的权利
POWERSEM有限公司, Walpersdorfer海峡。 53
ð - 91126施瓦巴赫
电话: 09122 - 9764 - 0传真: 09122 - 9764 - 20