ECO -PAC
TM
2
功率MOSFET
在ECO -PAC 2
单个MOSFET模
PSMG 100 / 05 *
X18
我K10
A1
LN9
I
D25
V
DSS
R
DSON
= 82 A
= 500 V
= 50 mΩ
Ω
初步数据表
K13
K15
* NTC可选
MOSFET
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
D80
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
Ω
T
C
= 25°C
最大额定值
500
V
500
V
±20
±30
82
62
60
3
5
400
V
V
A
A
mJ
J
V / ns的
W
特点
•对直接铜键合硅芯片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 3000V电气隔离
•低漏片电容（ < 25PF ）
•低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
•坚固的多晶硅栅单元结构
•非钳位感应开关（ UIS）
评级
•快速内在整流器
• UL认证，E 148688
应用
• DC-DC变换器
•电池充电器
•开关模式和谐振模式
电源
•直流斩波器
•AC电机控制
优势
•易于组装
•节省空间
•高功率密度
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
500
2
4
±100
100
2
50
45
9400
1280
460
45
60
120
45
330
55
155
0.30
0.15
V
V
nA
µA
mA
m
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
GS
= 0 V，I
D
= 5毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
, T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= I
T
,
V
DS
= 10 V，I
D
= I
T
,
1)
1)
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 1
Ω
（外部）
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= I
T
与散热器化合物（ 0.42 K / m.k的; 50微米）
nC
nC
注意事项：
这些设备是
nC
敏感的静电
K / W
放电。用户应观察
K / W
正确的ESD处理措施。
2003 POWERSEM保留更改限制，试验条件和尺寸的权利
POWERSEM有限公司， Walpersdorfer海峡。 53
ð - 91126施瓦巴赫
电话： 09122 - 9764 - 0传真： 09122 - 9764 - 20
POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
