ECO -PAC
TM
2
功率MOSFET
在ECO -PAC 2
单个MOSFET模
PSMG 150 / 01 *
X18
我K10 / 11 A1
L N 8/9
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
t
rr
=
100 V
= 165 A
= 8 mΩ
Ω
< 250纳秒
初步数据表
MOSFET
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
D（ RMS）
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
符号
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25 ° C（ MOSFET芯片的能力）
外部导线（限流）
T
C
= 25°C
1)
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
Ω
T
C
= 25°C
测试条件
K13
K15
* NTC可选
最大额定值
100
100
±20
±30
165
76
720
180
60
3
5
400
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
特点
•对直接铜键合硅芯片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 3000V电气隔离
•低漏片电容（ < 25PF ）
•低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
•坚固的多晶硅栅单元结构
•非钳位感应开关（ UIS）
评级
•快速内在整流器
• UL认证，E 148688
应用
• DC-DC变换器
•电池充电器
•开关模式和谐振模式
电源
•直流斩波器
•AC电机控制
优势
•易于组装
•节省空间
•高功率密度
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
100
2.0
4.0
±100
100
2
8
60
90
9400
3200
1660
50
90
140
65
400
65
220
0.30
0.2
V
V
nA
µA
mA
m
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
; T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V ;牛逼
J
= 125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 90 A
1)
V
DS
= 10 V ;我
D
= 90 A
2)
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= 90 A
R
G
= 1
Ω
（外部）
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= 90 A
与散热器化合物（ 0.42 K / m.k的; 50微米）
注意事项：
这些装置是否灵敏。
静电放电。用户
应遵守适当的ESD处理
预防措施。
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