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PSSI25/12 参数 Datasheet PDF下载

PSSI25/12图片预览
型号: PSSI25/12
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内容描述: IGBT模块 [IGBT Module]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 282 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
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ECO -PAC
TM
2
IGBT模块
短路SOA能力
广场RBSOA
初步数据表
PSIG 25/12
PSI一十二分之二十五*
PSIS十二分之二十五*
PSSI十二分之二十五*
I
C25
= 30 A
V
CES
= 1200 V
V
CE ( sat)的典型值。
= 2.6 V
LN 9 S18
A1
JK 10
PSIG
P 9
L 9
PSI
X 13
NTC
PSIG 25/12
IGBT的
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
I
CM
V
CEK
t
SC
( SCSOA )
P
合计
符号
PSI一十二分之二十五*
PSSI十二分之二十五*
PSIS十二分之二十五*
* NTC可选
E 2
G 10
K 10
X 16
X 15
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
1200
± 20
V
V
A
A
A
µs
L 9
X 18
X 15
IK 10
ñ TC
X 16
L 9
F 1
AC 1
AC 1
PSSI
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 82
Ω;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ,钳位感性负载; L = 100 μH
V
CE
= V
CES
; V
GE
= ±15 V ; ř
G
= 82
Ω;
T
VJ
= 125°C
不重复
T
C
= 25°C
30
21
35
V
CES
10
130
R 5 18
的PSI
W
T 16
X 15
RS 18
IK 10
X 16
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C,除非另有规定编)
ñ TC
分钟。
典型值。马克斯。
2.6
2.9
3.3
6.5
0.9
3.7
100
100
75
500
70
2.7
2.1
1
特点
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
R
thJC
R
thJH
I
C
= 25 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 0.6毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
;
V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
4.5
与DCB陶瓷基板封装
隔离电压3000 V〜
平面玻璃钝化芯片
低正向压降
信息适用于印刷电路板
焊接
UL注册,E 148688
V
CE
= 0 V; V
GE
= ± 20 V
应用
AC和DC电机控制
交流伺服和机器人的驱动器
电源
逆变焊机
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 17.5 A
V
GE
= 15/0 V ; ř
G
= 82
优势
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环能力
高功率密度
小,重量轻
信息与伸缩器
缓解压力
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
(每个IGBT )
与散热器化合物( 0.42 K / m.k的; 50微米)
1.92
0.96 K / W
K / W
注意事项:
这些装置是否灵敏。
静电放电。用户应
遵守适当的ESD处理措施。
©
2002年POWERSEM保留更改限制,试验条件和尺寸的权利
POWERSEM有限公司, Walpersdorfer海峡。 53
ð - 91126施瓦巴赫
电话: 09122 - 9764 - 0传真: 09122 - 9764 - 20