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PSTG75HST12 参数 Datasheet PDF下载

PSTG75HST12图片预览
型号: PSTG75HST12
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内容描述: 电力线的N沟道沟槽栅-IGBT模块 [Powerline N-Channel Trench Gate-IGBT Module]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 144 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
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ECO -PAC
TM
1
电力线的N沟道
海沟网关
IGBT模块
PSTG 75HST12
V
CES
V
CE ( SAT )
I
C25
I
C75
I
CM
t
SC
我L N
H
J
M
B EG
特点
与DCB陶瓷封装基座
板和焊接引脚PCB
MOUNTING
隔离电压超过3000 V~
沟槽栅
增强型N沟道
设备
通过结构非穿
高开关速度
低通态饱和电压
高输入阻抗简化
栅极驱动器
锁存器自由运作
完全短路额定为10微秒
广RBSOA
应用
高频逆变器
电机控制
开关模式电源
高频焊接
UPS系统
PWM驱动器
初步数据表
= 1200 V
= 1.9 V
= 109 A
= 75 A
= 225 A
= 10 µs
A
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C75
I
CM
P
合计
t
SC
T
VJ
T
英镑
R
thJC
R
thJC
V
ISOL
M
D
d
S
d
A
重量
测试条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
连续
T
C
= 25°C;
T
C
= 75°C;
T
C
= 75°C;
T
C
= 75°C
V
CE
= 80 V
CES
, R
G
= 10
Ω,
V
GE
=
±15
V
T
VJ
= 125 ℃,不重复
最大额定值
1200
±20
109
75
225
136
10
-40...+150
-40...+125
V
V
A
A
A
W
µs
°C
°C
K / W
K / W
V~
Nm
mm
mm
g
IGBT每设备
二极管,每个设备
I
ISOL
1毫安, 50/60赫兹, T = 1分
安装扭矩( M4 )
典型值。
表面爬电距离
通过空袭距离
典型值。
0.55
1.33
3000
1.5-1.8
分钟。
11.2
4.0
16
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵守适当的ESD处理
预防措施。
POWERSEM有限公司, Walpersdorfer海峡。 53
91126 D-施瓦巴赫
电话: 09122 - 9764-0传真: 09122 - 9764-20
2005年POWERSEM保留更改限制,试验条件和尺寸的权利