三相交流控制器
组件
初步数据表
V
RSM
V
帝斯曼
900
1300
1500
*1700
V
RRM
V
DRM
800
1200
1400
*1600
TYPE
PSW3C 95/08
PSW3C 12分之95
PSW3C 14分之95
PSW3C 16分之95
PSW3C 95
I
RMS
= 3× 96A
V
RRM
= 800-1600 V
*交货要求
符号
I
RMS
I
真有效值
I
TAVM
I
TSM
测试条件
T
C
= 85 ℃， 50-400赫兹（每相）
T
VJ
= T
VJM
T
C
= 85 °C
180 °正弦波
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
最大额定值
96
69
44
1150
1230
1000
1100
6600
6280
5000
5080
100
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A S
A
2
s
A / μs的
2
特点
•
平面glasspassivated芯片
•
与金属基底板包
应用
•
固态继电器
优势
•
空间和减轻重量
•
提高温度和功率
循环
•
高功率密度
∫
i
2
dt
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0
（ di / dt的）
cr
T
VJ
= T
JVM
重复的，我
T
= 150 A
F = 50Hz的，T
P
= 200µs
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.3 A
非重复性的，我
T
= I
TAVM
di
G
/ DT = 0.3 A / μs的
500
1000
10
5
0.5
10
-40 ... + 125
125
-40 ... + 125
A / μs的
V / μs的
W
W
W
V
°C
°C
°C
g
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAVM
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
重量
T
VJ
= T
VJM
V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
∞,
方法1 （线性电压升高）
T
VJ
= T
VJM
I
T
= I
TAVM
t
P
= 30µs
t
P
= 300µs
典型值。
20
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91126 D-施瓦巴赫
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