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型号: PE42552
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内容描述: 单刀双掷的UltraCMOS RF开关 [SPDT UltraCMOS RF Switch]
分类和应用: 开关光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 401 K
品牌: PSEMI [ Peregrine Semiconductor ]
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产品speci fi cation
PE42552
产品说明
该PE42552射频开关被设计用于测试/ ATE ,
蜂窝和其它无线应用。这种宽带一般
目的交换机维护优异的射频性能和
通过7500 MHz的线性直流。该PE42552集成
由单针主板上的CMOS控制逻辑驱动,低电压
CMOS控制输入。它也有一个逻辑选择引脚使
改变控制引脚的逻辑定义。另外
功能包括一个新颖的用户定义的逻辑表,由所述使能
主板上的CMOS电路。该PE42552还具有
的44分贝优秀隔离在7500兆赫,快速建立时间,
并在一个很小的3×3毫米QFN封装。
该PE42552制造的百富勤的UltraCMOS ™
过程中,硅 - 绝缘体( SOI)的一个专利的变异
技术在蓝宝石衬底上,将提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的CMOS 。
图1.功能框图
RFC
RF1
ESD
单刀双掷的UltraCMOS ™射频开关
DC - 7500 MHz的
特点
竖琴™ - 技术 - 增强型
消除栅极与相位滞后
无插入损耗和相位漂移
快速建立时间
高线性度: 65 dBm的IIP3
低插入损耗: 0.65分贝在3.0千兆赫,
0.85分贝在6.0千兆赫, 1.0的7.5 GHz的
高隔离47分贝3.0 GHz的,
44分贝在7.5 GHz的
1 dB压缩点: 34.5 dBm的典型值。
逻辑选择引脚颠倒逻辑控制
高ESD : 1000 V HBM
吸收式开关设计
标准的3×3毫米QFN封装
图2.封装类型
16引脚3×3毫米QFN封装
ESD
RF2
50Ω
CMOS
控制
司机
50Ω
LS CTRL
表1.目标电气规格
温度= 25 ° C,V
DD
= 3.3V
,
V
SS
= 0V / -3.3V
参数
工作频率兆赫
插入损耗
9千赫
3000兆赫
6000兆赫
7500兆赫
3000兆赫
6000兆赫
7500兆赫
3000兆赫
6000兆赫
7500兆赫
3000兆赫
6000兆赫
7500兆赫
50%的CTRL键0.05分贝终值( -40 〜+ 85 ° C)
上升沿
50%的CTRL键0.05分贝终值( -40 〜+ 85 ° C)
下降沿
50 % CTRL至90 %或最终值的10% ( -40 〜+ 85 ° C)
800兆赫
7500兆赫
7500兆赫
7500兆赫
45
32
25
44
49
37
条件
9千赫
典型
0.6
0.65
0.85
1.0
47
34
28
47
55
44
20
25
15
9
15
5
34.5
34
65
100
最大
7.5 GHz的
0.7
0.8
1.0
1.22
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离 - RF1到RF2
隔离 - RFC到RFX
回波损耗
建立时间
开关时间
输入1 dB压缩
输入IP3
输入IP2
11
45
7
32
µs
µs
µs
DBM
DBM
DBM
DBM
文档编号70-0246-03
www.psemi.com
© 2008 Peregrine半导体公司保留所有权利。
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