2006年9月
修订版0.3
绝对最大额定值
1
符号
V
TERM2
V
TERM3
V
TERM4
TSTG
IOUT
PCS2P20807A
描述
相对于GND端子电压
相对于GND端子电压
相对于GND端子电压
储存温度
直流输出电流
最大
-0.5到+4.6
-0.5到+5.5
-0.5到V
CC
+0.5
-65到+150
-60到+60
单位
V
V
V
°C
mA
注意事项：
1.上述参数仅是不是暗示了使用功能。暴露在绝对最大额定值为长时间可能会影响
器件的可靠性。
2. V
CC
终端。
3.输入端子。
4.输出和I / O端子。
电源特性
符号
I
CCL
I
CCH
∆I
CC
参数
静
动力
电源电流TTL
输入HIGH
电源电流
每输入HIGH
动态电源
电流每路输出
3
总功率
当前
4
供应
测试条件
1
V
CC
=最大
V
IN
= GND或V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
CC
-0.6V
V
CC
= 2.7V和15 pF负载
150兆赫
V
CC
=最大。
C
L
=为12pF
所有输出肘
科幻= 150MHz的
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC
–0.6V
V
IN
= GND
民
典型值
2
0.1
最大
20
单位
µA
45
300
µA
I
CCD
40
µA
/ MHz的
I
C
105
125
mA
105
125
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 2.5V ， + 25 ° C的环境。
3.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
4. I
C
= IQUIESCENT + IINPUTS + IDYNAMIC
I
C
= I
CC
+
∆I
CC
DHNT + I
CCD
（ FI）
I
CC
=静态电流（I
CCL
, I
CCH
我
CCZ
)
∆I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= V
CC
-0.6V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的DH数
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
F1 =输入频率
2.5V CMOS 1到10个时钟驱动器
注意：本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
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PULSECORE [ PulseCore Semiconductor ]
