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P4C1024L55CWC 参数 Datasheet PDF下载

P4C1024L55CWC图片预览
型号: P4C1024L55CWC
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内容描述: 低功耗128K ×8 CMOS静态RAM [LOW POWER 128K x 8 CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 281 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C1024L
DATA RETENTION
Symbol
V
DR
I
CCDR (1)
Parameter
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operating Recovery Time
Test Conditions
CE
1
V
CC
-0.2V, CE
2
0.2V,
V
IN
V
CC
-0.2V or V
IN
0.2V
V
DR
= 2.0V
V
DR
= 3.0V
See Retention Waveform
0
5
Min
2.0
Max
5.5
30
50
Unit
V
µA
µA
ns
ms
t
CDR
t
R
1.
CE
1
V
DR
-0.2V, CE
2
V
DR
-0.2V or CE
2
0.2V; or
CE
1
0.2V, CE
2
- 0.2V; V
IN
V
DR
-0.2V or V
IN
0.2V
LOW V
CC
DATA RETENTION WAVEFORM 1 (CE
1
CONTROLLED)
CE
LOW V
CC
DATA RETENTION WAVEFORM 2 (CE
2
CONTROLLED)
DATA RETENTION MODE
V
CC
4.5V
V
DR
CE
2
-0.2V
4.5V
t
CDR
CE
2
V
IL
2.2V
t
R
V
IL
Document #
SRAM125
REV C
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