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P4C1026-20CC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: P4C1026-20CC
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内容描述: 超高速256K ×4的静态CMOS RAM [ULTRA HIGH SPEED 256K x 4 STATIC CMOS RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 290 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C1026
POWER DISSIPATION CHARACTERISTICS VS. SPEED
Symbol
I
CC
Parameter
Dynamic Operating Current*
Temperature
Range
Commercial
Industrial
–15
80
90
–20
75
80
–25
75
80
–35
75
80
Unit
mA
mA
*V
CC
= 5.5V. Tested with outputs open. f = Max. Switching inputs are 0V and 3V.
CE
= V
IL
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
Symbol
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R†
Parameter
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to
Data Retention Time
Operation Recovery Time
CE
V
CC
–0.2V,
V
IN
V
CC
–0.2V or
V
IN
0.2V
Test Conditions
Min
2.0
10
0
t
RC§
15
250
500
Typ.*
V
CC
=
2.0V
3.0V
Max
V
CC
=
2.0V 3.0V
Unit
V
µA
ns
ns
*T
A
= +125°C
§
t
RC
= Read Cycle Time
This parameter is guaranteed but not tested.
DATA RETENTION WAVEFORM
Document #
SRAM127
REV E
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