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    P4C198-12DI 参数 Datasheet PDF下载

    P4C198-12DI图片预览
    型号： P4C198-12DI
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    内容描述： 超高速16K ×4的静态CMOS RAMS [ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 13 页 / 232 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第11页  
    P4C198/198L, P4C198A/198AL  
    WRITE CYCLE NO. 2 (WE CONTROLLED)(13,14)  
    WRITE CYCLE NO. 3 (CE(12) CONTROLLED)(13,14)  
    Notes:  
    15. If CE (CE1 or CE2 for P4C198A/L) goes HIGH simultaneously with WE  
    HIGH, the output remains in a high impedance state.  
    16. Write Cycle Time is measured from the last valid address to the first  
    transitioning address.  
    13. CE (CE1, CE2 for P4C198A/L) and WE must be LOW for WRITE  
    cycle.  
    14. OE is LOW for this WRITE cycle.  
    Document # SRAM113 REV A  
    Page 7 of 13  

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