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P3C1011-12TM 参数 Datasheet PDF下载

P3C1011-12TM图片预览
型号: P3C1011-12TM
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内容描述: 高速128K ×16 ( 2 MEG )静态CMOS RAM [HIGH SPEED 128K x 16 (2 MEG) STATIC CMOS RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 110 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P3C1011
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V ,全温度范围)
(2)
符号。
t
WC
t
CW
参数
写周期时间
芯片使能时间结束
地址有效到写结束
地址建立时间写
开始
把脉冲宽度
地址保持时间
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
输出写入结束活动
WE
高到低Z
字节使能,以结束写的
-10
10
7
12
8
-12
15
10
-15
20
10
-20
25
12
-25
35
15
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
t
LZWE
t
BW
7
0
7
0
5
0
5
3
3
7
8
0
8
0
6
0
6
3
3
8
10
0
10
0
7
0
7
3
3
10
10
0
10
0
8
0
8
3
3
10
12
0
12
0
10
0
10
3
3
12
15
0
15
0
12
0
12
3
3
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
时序波形写周期NO 。 1 ( CE控制)
CE
文档#
SRAM131
转或
第10个5