P3C1011
高速128K ×16 （ 2 MEG ）
静态CMOS RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 10/12/15/20 NS （商业）
- 20年12月15日NS （工业）
- 20/25/35 （军事）
低功耗
- 360毫瓦（最大）
单3.3V ± 0.3V电源
2.0V数据保留
易内存扩展使用
CE
和
OE
输入
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
快速吨
OE
取消的时候自动断电
套餐
-44引脚SOJ ， TSOP II
描述
该P3C1011是131,072字由16位高速
CMOS静态RAM 。 CMOS存储器不需要
时钟或刷新，并具有平等的机会和周期
次。输入是完全TTL兼容。拉姆能操作
从一个单一的3.3V阿泰±0.3V电源容差
供应量。
存取时间快10纳秒允许大大
增强的系统的运行速度。 CMOS是利用
降低功率消耗，以较低的水平。该P3C1011
是一个家庭的RAM PACE ™产品中的一员优惠 -
荷兰国际集团的快速存取时间。
该P3C1011设备提供异步操作
与之相配的访问和周期时间。存储器地址
系统蒸发散是在地址管脚指定的
0
到A
17
。阅读是
通过设备选择（ CE和输出恩完成
abling （ OE ），而写使能（ WE）仍然很高。通过
在这些条件下呈现的地址，该数据
在寻址的存储位置，提出在
数据输入/输出管脚。的输入/输出管脚留在
高Z状态时，无论
CE
or
OE
是高还是
WE
is
低。
对于读写，字节使能控制线
（ BLE用于I / O
0-7
和
BHE
对于I / O
8-15
一个）可以选择
只有16个I / O线的8如果需要的话。当一个字节
使能控制线为高电平，对应的I / O是
活跃的。
为P3C1011封装选项包括44引脚SOJ和
TSOP封装。
功能框图
引脚配置
1519B
SOJ
TSOP II
文档＃
SRAM131
转或
修订后的2006年3月
1
PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
