欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

P3C1024L70SI 参数 Datasheet PDF下载

P3C1024L70SI图片预览
型号: P3C1024L70SI
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 超低功耗128K ×8 CMOS静态RAM [ULTRA LOW POWER 128K x 8 CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 114 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
 浏览型号P3C1024L70SI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P3C1024L70SI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P3C1024L70SI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P3C1024L70SI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P3C1024L70SI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P3C1024L70SI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P3C1024L70SI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P3C1024L70SI的Datasheet PDF文件第9页  
P3C1024L
推荐工作温度&电源电压
温度范围(环境)
商用(0 ° C至70 ° C)
工业级(-40° C至85°C )
电源电压
3.0V
V
CC
3.6V
3.0V
V
CC
3.6V
最大额定值
(1)
强调以上所列可能导致器件的永久性损坏。这是绝对的收视压力
只。该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些在给定的暗示
该数据表的业务部门。暴露最大额定值长时间会不利
影响器件的可靠性。
符号
V
CC
V
TERM
T
A
S
TG
I
OUT
I
LAT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
工作环境温度
储存温度
输出电流为低电压输出
闩锁电流
>200
-0.3
-0.3
-55
-65
最大
3.9
V
CC
+ 0.3
125
150
20
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
DC电气特性
(在推荐的工作温度&电源电压)
(2)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输出高电压
( I / O
0
- I / O
7
)
输出低电压
( I / O
0
- I / O
7
)
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
当前
TTL待机电流
( TTL电平输入)
V
CC
当前
CMOS待机电流
( CMOS输入电平)
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
CE
1
V
IH
或CE
2
V
IL
V
CC
= 3.6V ,我
OUT
= 0毫安
CE
1
= V
IH
或CE
2
= V
IL
V
CC
= 5.5V ,我
OUT
= 0毫安
CE
1
V
CC
-0.2V ,CE
2
0.2V
Ind'l 。
Com'l 。
Ind'l 。
Com'l 。
测试条件
I
OH
= -1mA ,V
CC
= 3.3V
I
OL
= 2.1毫安
2.2
-0.3
-2
-1
-2
-1
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+2
+1
+2
+1
3
最大
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
I
SB1
10
µA
文档#
SRAM132
转或
第2 9