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P3C125625JI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: P3C125625JI
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内容描述: 高速32K ×8 3.3V CMOS静态RAM [HIGH SPEED 32K x 8 3.3V STATIC CMOS RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 266 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P3C1256
推荐工作温度&电源电压
温度范围(环境)
商用(0 ° C至70 ° C)
工业级(-40° C至85°C )
电源电压
3.0V
V
CC
3.6V
3.0
V
CC
3.6V
最大额定值
(1)
强调以上所列可能导致器件的永久性损坏。这是绝对的收视压力
只。该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些在给定的暗示
该数据表的业务部门。暴露最大额定值长时间会不利
影响器件的可靠性。
符号
V
CC
V
TERM
T
A
S
TG
I
OUT
I
LAT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压(高达7.0V )
工作环境温度
储存温度
输出电流为低电压输出
闩锁电流
>200
-0.5
-0.5
-40
-55
最大
7.0
V
CC
+ 0.5
85
125
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
DC电气特性
(在推荐的工作温度&电源电压)
(2)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
I
SB
I
SB1
参数
输出高电压
( I / O
0
- I / O
7
)
输出低电压
( I / O
0
- I / O
8
)
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
当前
TTL待机电流
V
CC
当前
CMOS待机电流
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
CE
= V
CC
V
CC
= 3.6V ,我
OUT
= 0毫安
CE
= V
CC
V
CC
= 3.6V ,我
OUT
= 0毫安
CE
= V
CC
测试条件
I
OH
= -4mA ,V
CC
= 3.0V
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 10毫安
2.2
-0.5
(3)
-5
-5
2.4
0.4
0.5
V
CC
+ 0.3
0.8
+5
+5
20
最大
单位
V
V
V
V
V
µA
µA
mA
3
mA
文档#
SRAM122
版本B
第10 2