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P4C1023-55CWC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: P4C1023-55CWC
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内容描述: 低功耗128K ×8单芯片使能CMOS静态RAM [LOW POWER 128K x 8 SINGLE CHIP ENABLE CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 336 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C1023/P4C1023L
低功耗128K ×8
单芯片使能
CMOS静态RAM
特点
V
CC
当前
- 操作: 35毫安
- CMOS待机: 100μA
访问时间
-55/70 NS
单5伏± 10 %电源
易内存扩展使用
CE
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
自动断电
套餐
-32针400或600万陶瓷DIP
-32引脚陶瓷SOJ
描述
该P4C1023L是1兆位低功耗CMOS静态
RAM组织为128K X 8 CMOS内存重
张塌塌米无时钟或刷新,并且有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 %容差功率运行
供应量。
55纳秒和70 ns访问时间availale 。 CMOS是
用于以降低功耗为低电平。
该P4C1023L设备提供了异步操作
化相匹配的访问和周期时间。内存
位置上的地址引脚指定的
0
到A
16
。读
ING是由设备选择( CE低点)和完成
输出使能( OE ),而写使能( WE)的遗体
HIGH 。通过在这些条件呈现地址
系统蒸发散,在寻址的存储位置是前期的数据
sented上的数据输入/输出管脚。输入/输出
针留在高Z状态时,无论
CE
是高还是
WE
是低的。
该P4C1023L打包在一个32针400或600密耳
陶瓷DIP封装和32引脚的陶瓷SOJ 。
功能框图
引脚配置
DIP ( C10 , C11 ),陶瓷SOJ ( CJ1 )
顶视图
文档#
SRAM126
转或
修订后的2005年10月
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