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    P4C1023-70CWC 参数 Datasheet PDF下载

    P4C1023-70CWC图片预览
    型号： P4C1023-70CWC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低功耗128K ×8单芯片使能CMOS静态RAM [LOW POWER 128K x 8 SINGLE CHIP ENABLE CMOS STATIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 336 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C1023-70CWC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P4C1023-70CWC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P4C1023-70CWC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C1023-70CWC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C1023-70CWC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C1023-70CWC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P4C1023-70CWC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C1023-70CWC的Datasheet PDF文件第9页  
    P4C1023/P4C1023L
    读周期NO 。 1 （ OE控制）
    (1)
    OE
    读周期NO 。 2 （地址控制）
    读周期NO 。 3 （ CE控制）
    CE
    注意事项：
    1.
    WE
    为高的读周期。
    2.
    CE
    和
    OE
    为低电平的读周期。
    3.地址必须是有效之前，或暗合了更高的
    CE
    变为低电平。
    4.转变是从稳态电压测量± 200 mV的前
    如在图1中，该参数指定的改变，同时装载
    进行采样，而不是100 ％测试。
    5.读周期时间是从最后的有效地址所测量的
    第一过渡的地址。
    文档＃
    SRAM126
    转或
    第11 4

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