P4C1023/P4C1023L
推荐工作温度&电源电压
温度范围（环境）
商用（0 ° C至70 ° C）
工业级（-40° C至85°C ）
军用（ -55°C至125°C ）
电源电压
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
最大额定值
强调以上所列可能导致器件的永久性损坏。这些都是绝对压力额定值只。
该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些在操作给出的暗示
本数据手册的tional部分。暴露最大额定值长时间可以产生不利影响的设备
可靠性。
符号
V
CC
V
TERM
T
A
S
TG
I
OUT
I
LAT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压（高达7.0V ）
工作环境温度
储存温度
输出电流为低电压输出
闩锁电流
>200
民
-0.5
-0.5
-55
-65
最大
7.0
V
CC
+ 0.5
125
150
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
DC电气特性
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
参数
输出高电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输出低电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
通信。
产业
军事
通信。
产业
军事
I
SB
V
CC
当前
TTL待机电流
（ TTL电平输入）
V
CC
当前
CMOS待机电流
（ CMOS输入电平）
V
CC
= 5.5V ，我
OUT
= 0毫安
CE
1
= V
IH
或CE
2
= V
IL
V
CC
= 5.5V ，我
OUT
= 0毫安
CE
1
≥
V
CC
-0.2V ，CE
2
≤
0.2V
100
µA
测试条件
I
OH
= -1mA ，V
CC
= 4.5V
I
OL
= 2.1毫安
2.2
-0.3
-2
-5
-10
-2
-5
-10
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+2
+5
+10
+2
+5
+10
3
mA
最大
单位
V
V
V
V
µA
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
I
LO
输出漏电流
CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
µA
I
SB1
文档＃
SRAM126
转或
第11 2
PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
