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P4C1026-25CMB 参数 Datasheet PDF下载

P4C1026-25CMB图片预览
型号: P4C1026-25CMB
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内容描述: 超高速256K ×4的静态CMOS RAM [ULTRA HIGH SPEED 256K x 4 STATIC CMOS RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 290 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C1026
读循环中没有时序波形。 3 ( CE控制)
(5,7)
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V ±10 % ,全温度范围)
(2)
符号。
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
DW
参数
写周期时间
芯片使能时间结束写的
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
地址保持时间从写入结束
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
输出写入结束活动
2
-15
13
12
12
0
12
0
7
0
6
2
20
15
15
0
15
0
8
0
8
2
-20
25
18
18
0
18
0
10
0
10
3
-25
35
25
25
0
25
0
15
0
15
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
时序波形写周期NO 。 1 (我们控制)
(10,11)
WE
注意事项:
10.
CE
WE
必须是低的写周期。
11.
OE
为低电平的写周期显示吨
WZ
和T
OW
.
12.如果
CE
云同时高
WE
高,输出遗体
在高阻抗状态
13.写周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
文档#
SRAM127
REV ê
第5页of10