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    P4C1026-35L28C 参数 Datasheet PDF下载

    P4C1026-35L28C图片预览
    型号： P4C1026-35L28C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超高速256K ×4的静态CMOS RAM [ULTRA HIGH SPEED 256K x 4 STATIC CMOS RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 290 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C1026-35L28C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P4C1026-35L28C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C1026-35L28C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P4C1026-35L28C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C1026-35L28C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C1026-35L28C的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P4C1026-35L28C的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C1026-35L28C的Datasheet PDF文件第9页  
    P4C1026
    最大额定值
    (1)
    符号
    V
    CC
    参数
    电源引脚与
    对于GND
    与端电压
    对于GND
    （高达7.0V ）
    工作温度
    价值
    -0.5到+7
    -0.5到
    V
    CC
    +0.5
    -55到+125
    单位
    V
    符号
    T
    BIAS
    T
    英镑
    P
    T
    I
    OUT
    参数
    高温下
    BIAS
    储存温度
    功耗
    直流输出电流
    价值
    -55到+125
    -65到+150
    1.0
    50
    单位
    °C
    °C
    W
    mA
    V
    TERM
    T
    A
    V
    °C
    推荐工作
    温度和电源电压
    Grade(2)
    产业
    广告
    军事
    环境
    温度
    -40 ° C至+ 85°C
    0 ° C至+ 70°C
    -55 ° C至+ 125°C
    GND
    0V
    0V
    0V
    V
    CC
    5.0V ± 10%
    5.0V ± 10%
    5.0V ± 10%
    电容
    (4)
    V
    CC
    = 5.0V ，T
    A
    = 25 ° C，F = 1.0MHz的
    符号
    C
    IN
    C
    OUT
    参数
    输入电容
    输出电容
    典型的条件。单位
    V
    IN
    = 0V
    V
    OUT
    = 0V
    7
    10
    pF
    pF
    DC电气特性
    在推荐运行温度和电源电压
    (2)
    符号
    V
    IH
    V
    IL
    V
    HC
    V
    LC
    V
    CD
    V
    OL
    V
    OH
    I
    LI
    I
    LO
    I
    SB
    I
    SB1
    参数
    输入高电压
    输入低电压
    CMOS输入高电压
    CMOS输入低电压
    输入钳位二极管电压V
    CC
    =最小值，我
    IN
    = -18毫安
    输出低电压
    （ TTL负载）
    输出高电压
    （ TTL负载）
    输入漏电流
    输出漏电流
    I
    OL
    = 8毫安，V
    CC
    =最小值。
    I
    OH
    = -4毫安，V
    CC
    =最小值。
    V
    CC
    =最大。
    V
    IN
    = GND到V
    CC
    V
    CC
    =最大，
    CE
    = V
    IH
    V
    OUT
    = GND到V
    CC
    2.4
    –5
    –5
    ___
    ___
    +5
    +5
    35
    10
    测试条件
    P4C1026
    民
    最大
    2.2
    –0.5
    (3)
    –0.5
    (3)
    V
    CC
    +0.5
    0.8
    0.2
    –1.2
    0.4
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    mA
    V
    CC
    –0.2 V
    CC
    +0.5
    CE
    ≥
    V
    IH
    备用电源
    电流（ TTL电平输入）V
    CC
    =最大值， F =最大值，输出打开
    备用电源
    当前
    （ CMOS输入电平）
    CE
    ≥
    V
    HC
    V
    CC
    =最大值， F = 0时，输出打开
    V
    IN
    ≤
    V
    LC
    或V
    IN
    ≥
    V
    HC
    mA
    文档＃
    SRAM127
    REV ê
    第10 2

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