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P4C1041-10JC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: P4C1041-10JC
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内容描述: 高速256K ×16 ( 4 MEG )静态CMOS RAM [HIGH SPEED 256K x 16 (4 MEG) STATIC CMOS RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 445 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C1041
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V ,全温度范围)
(2)
符号。
t
WC
t
CW
参数
写周期时间
芯片使能时间结束
地址有效到写结束
地址建立时间写
开始
把脉冲宽度
地址保持时间
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
输出写入结束活动
WE
高到低Z
字节使能,以结束写的
-10
10
7
最大
12
8
-12
最大
15
10
-15
最大
20
10
-20
最大
单位
ns
ns
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
t
LZWE
t
BW
7
0
7
0
5
0
5
5
3
7
8
0
8
0
6
0
6
5
3
8
10
0
10
0
7
0
7
0
3
10
10
0
10
0
8
0
8
0
3
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
时序波形写周期NO 。 1 ( CE控制)
CE
文档#
SRAM133
转或
第10个5