欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    P4C1024-15P3C 参数 Datasheet PDF下载

    P4C1024-15P3C图片预览
    型号： P4C1024-15P3C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高速128K ×8 CMOS静态RAM [HIGH SPEED 128K X 8 CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 14 页 / 224 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C1024-15P3C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P4C1024-15P3C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C1024-15P3C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P4C1024-15P3C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C1024-15P3C的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P4C1024-15P3C的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C1024-15P3C的Datasheet PDF文件第9页浏览型号P4C1024-15P3C的Datasheet PDF文件第10页  
    P4C1024
    交流特性 - 写周期
    (V
    CC
    = 5V ±10 ％ ，全温度范围）
    (2)
    符号
    t
    WC
    t
    CW
    t
    AW
    t
    AS
    t
    WP
    t
    AH
    t
    DW
    t
    DH
    t
    WZ
    t
    OW
    参数
    -15
    -20
    -25
    -35
    -45
    -55
    -70
    -85
    -100
    -120
    单位
    最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
    20
    15
    15
    0
    15
    0
    8
    0
    8
    3
    3
    10
    3
    25
    18
    20
    0
    18
    0
    10
    0
    11
    3
    35
    22
    25
    0
    22
    0
    15
    0
    15
    3
    45
    30
    35
    0
    25
    0
    20
    0
    18
    3
    55
    35
    45
    0
    30
    0
    25
    0
    20
    3
    70
    45
    60
    0
    40
    0
    30
    0
    25
    3
    85
    50
    70
    0
    45
    0
    35
    0
    30
    3
    100
    60
    85
    0
    55
    0
    45
    0
    40
    3
    120
    75
    100
    0
    70
    0
    60
    0
    50
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    写周期时间15
    芯片使能
    时间结束
    写
    地址有效到
    写结束
    地址建立
    时间
    写脉冲
    宽度
    地址保持
    时间
    数据有效到
    写结束
    日期保持时间
    写使能到
    在高Z输出
    输出活动
    从结束
    写
    12
    12
    0
    12
    0
    7
    0
    时序波形写周期NO 。 1 （我们控制）
    (11)
    WE
    注意事项：
    11.
    CE
    1
    和
    WE
    必须为低，和CE
    2
    高为写周期。
    12.
    OE
    为低电平的写周期显示吨
    WZ
    和T
    OW
    .
    13.如果
    CE
    1
    变为高电平，或CE
    2
    变为低电平，同时与
    WE
    高，
    输出保持在高阻抗状态。
    14.写周期时间是从最后一个有效地址测到第一
    转换地址。
    文档＃
    SRAM124
    REV A
    第14页6

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6