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P4C116-12JC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: P4C116-12JC
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内容描述: 超高速2K x 8静态CMOS RAMS [ULTRA HIGH SPEED 2K x 8 STATIC CMOS RAMS]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 239 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C116/P4C116L
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
(高达7.0V )
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作条件
GRADE
军事
(2)
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ,T
A
= 25 ° C,F = 1.0MHz的)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
7
pF
pF
环境温度
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
GND
0V
0V
VCC
5.0V ±10%
5.0V ±10%
广告
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
CD
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输入钳位二极管电压V
CC
=最小值,我
IN
= -18毫安
输出低电压
I
OL
= 8毫安,V
CC
=最小值。
( TTL负载)
输出高电压
( TTL负载)
输入漏电流
输出漏电流
备用电源
电流( TTL电平输入)
I
OH
= -4毫安,V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大,
CE
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
CE
V
IH ,
V
CC
=最大,
CE
V
HC
,
V
CC
=最大,
F = 0时,输出打开
V
IN
V
LC
或V
IN
V
HC
F =最大值,输出打开
米尔。
印第安纳州/ Com'l 。
___
___
15
10
___
___
1
不适用
mA
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
米尔。
印第安纳州/ Com'l 。
2.4
–10
–5
–10
–5
___
___
+10
+5
+10
+5
30
20
测试条件
P4C116
最大
2.2
–0.5
(3)
–0.5
(3)
V
CC
+0.5
0.8
0.2
–1.2
0.4
2.4
–5
不适用
–5
不适用
___
___
+5
不适用
+5
不适用
20
不适用
P4C116L
最大
2.2
–0.5
(3)
–0.5
(3)
V
CC
+0.5
0.8
0.2
–1.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
µA
µA
mA
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5 V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
I
SB1
备用电源
当前
( CMOS输入电平)
N / A =不适用
文档#
SRAM110
REV A
第14页2