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P4C116-12L32M 参数 Datasheet PDF下载

P4C116-12L32M图片预览
型号: P4C116-12L32M
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内容描述: 超高速2K x 8静态CMOS RAMS [ULTRA HIGH SPEED 2K x 8 STATIC CMOS RAMS]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 239 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C116/P4C116L
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入时序参考电平
输出时序参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
真值表
模式
待机
D
OUT
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
I / O
高Z
高Z
D
OUT
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
图1.输出负载
*包括范围和测试夹具。
注意:
因为P4C116 / L的超高速的,必须小心
测试时,该设备;不适当的设置可能会导致正常
功能部分被拒绝的错误。长高的电感导致的
必须避免通过使在V事业供给弹跳
CC
和地面
飞机直接到接触手指。一个0.01μF高频
图2.戴维南等效
V之间也需要电容
CC
和地面。为了避免信号
反射,适当的终止必须使用;例如,一个50Ω的测试
环境应终止为50Ω负载与1.73V (戴维南
电压),在比较器的输入,以及一个116Ω电阻器必须在使用
系列的D
OUT
匹配166Ω (戴维南电阻) 。
文档#
SRAM110
REV A
第14页6