P4C163/P4C163L
超高速8K ×9
静态CMOS RAMS
特点
全CMOS ， 6T细胞
高速（平等机会和循环时间）
- 25 / 35ns的（商业）
- 40 /35 /为45nS （军事）
低功耗工作（商用/军用）
输出使能和双芯片使能控制
功能
单5V ± 10 ％电源
数据保留与2.0V供电， 10 μA典型
电流（ P4C163L军）
通用I / O
充分TTL兼容输入和输出
标准引脚（ JEDEC批准）
- 28引脚300密耳DIP ， SOJ
- 28引脚350× 550密耳LCC
- 28引脚CERPACK
描述
该P4C163和P4C163L是73,728位超高速
组织为8K ×9的CMOS存储器静态RAM重
叠纸无时钟或刷新，并有平等的机会和
周期时间。输入是完全TTL兼容。公羊
从单一5V ± 10 ％的容差电源供电。
带备用电池，数据完整性被保持供给
电压下降到2.0V 。漏电流是从2.0V 10 μA
供应量。
存取时间快25纳秒可用， per-
mitting大大提高了系统的运行速度。 CMOS
用于减少在两个有源功率消耗和
待机模式。
该P4C163和P4C163L提供28引脚300密耳可
DIP和SOJ ， 28引脚350× 550密耳LCC和28引脚
CERPACK封装提供卓越的板级densi-
关系。
功能框图
销刀豆网络gurations
DIP （ P5 ， C5 ） ， SOJ （ J5 ）
CERPACK （ F4 ）相似
LCC （ L5）的
文档＃
SRAM120
REV C
1
修订后的2006年8月
PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
