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    P4C163-35PC 参数 Datasheet PDF下载

    P4C163-35PC图片预览
    型号： P4C163-35PC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超高速8K ×9的静态CMOS RAMS [ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 322 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C163-35PC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P4C163-35PC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P4C163-35PC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P4C163-35PC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C163-35PC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C163-35PC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P4C163-35PC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C163-35PC的Datasheet PDF文件第9页  
    P4C163/163L
    功耗特性
    在推荐运行温度和电源电压
    (2)
    符号
    I
    CC
    I
    CC
    I
    SB
    参数
    工作动态
    电流 - 25
    工作动态
    电流 - 35 ， 45
    测试条件
    V
    CC
    =最大值， F =最大，
    输出打开
    V
    CC
    =最大值， F =最大，
    输出打开
    米尔。
    Com'l 。
    米尔。
    Com'l 。
    米尔。
    Com'l 。
    米尔。
    Com'l 。
    P4C163
    民
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    最大
    145
    125
    120
    95
    40
    35
    20
    18
    P4C163L
    民
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    最大
    145
    不适用
    120
    不适用
    40
    不适用
    1
    不适用
    单位
    mA
    mA
    mA
    备用电源
    CE
    1
    ≥
    V
    IH
    or
    电流（ TTL电平输入） CE
    2
    ≤
    V
    IL
    , V
    CC
    =最大，
    F =最大值，输出打开
    备用电源
    当前
    （ CMOS输入电平）
    CE
    1
    ≥
    V
    HC
    or
    CE
    2
    ≤
    V
    LC
    , V
    CC
    =最大，
    F = 0时，输出打开，
    V
    IN
    ≤
    V
    LC
    或V
    IN
    ≥
    V
    HC
    I
    SB1
    mA
    N / A =不适用
    数据保持特性（ P4C163L ，军用温度只）
    符号
    V
    DR
    I
    CCDR
    t
    CDR
    t
    R†
    参数
    V
    CC
    数据保留
    数据保持电流
    芯片取消到
    数据保存时间
    手术恢复时间
    CE
    1
    ≥
    V
    CC
    - 0.2V或
    CE
    2
    ≤
    0.2V, V
    IN
    ≥
    V
    CC
    – 0.2V
    或V
    IN
    ≤
    0.2V
    测试条件
    民
    2.0
    10
    0
    t
    RC =
    15
    200
    300
    TYP 。 *
    V
    CC
    =
    2.0V
    3.0V
    最大
    V
    CC
    =
    2.0V
    3.0V
    单位
    V
    µA
    ns
    ns
    *T
    A
    = +25°C
    §
    t
    RC
    =读周期时间
    †
    此参数是保证，但未经测试。
    数据保存波形
    文档＃
    SRAM120
    REV C
    第12页3

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