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P4C168 参数 Datasheet PDF下载

P4C168图片预览
型号: P4C168
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内容描述: 超高速4K ×4的静态CMOS RAMS [ULTRA HIGH SPEED 4K x 4 STATIC CMOS RAMS]
分类和应用:
文件页数/大小: 15 页 / 234 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C168 , P4C169 , P4C170
超高速4K ×4
静态CMOS RAMS
特点
全CMOS , 6T细胞
高速(平等机会和循环时间)
- 19 /15/20 /25 / 35ns的(商业)
- 20/25 /35 /五十五分之四十五/ 70ns的( P4C168军)
低功耗工作(商业)
- 715毫瓦活动
- 193 mW的待机( TTL输入) P4C168
- 83 mW的待机( CMOS输入) P4C168
单5V ± 10 %电源
充分TTL兼容,通用I / O端口
三个选项
- P4C168低功耗待机模式
- P4C169快速的片选控制
- P4C170快速的片选,输出使能
控制
标准引脚( JEDEC批准)
- P4C168 : 20引脚DIP , SOJ , LCC , SOIC ,
CERPACK和扁平封装
- P4C169 : 20引脚DIP和SOIC
- P4C170 : 22引脚DIP
描述
该P4C168 , P4C169和P4C170是一个家庭的
16,384位超高速静态RAM组织为4K
X 4.所有这三款器件具有共同的输入/输出ports.The
P4C168进入待机模式时,芯片使能
( CE)控制变为高;与CMOS输入电平,功率
消耗量是在这种模式下只有83mW 。无论是P4C169
和P4C170提供快速的芯片选择访问时间
只有67%的地址访问时间。此外,该
P4C170包括一个输出使能(OE )控制来消除
内特数据总线争。公羊从操作
单5V ±10 %的容差的电源。
存取时间快12纳秒是可用的,
允许大大提高了系统的运行速度。
CMOS用于减少功耗的低715
毫瓦活跃, 193 mW的待机。
该P4C168和P4C169在20引脚可用( P4C170
在22针) 300万DIP封装提供卓越
板级密度。该P4C168也可在20-
销300万SOIC , SOJ , CERPACK和扁平封装
包。
该P4C169还提供20引脚300密耳SOIC
封装。
功能框图
销刀豆网络gurations
P4C168
P4C169
DIP( P 2, C 6 , D 2)
DIP (P2)的
SOIC (S2)的
SOIC (S2)的
SOJ ( J2 )
CERPACK (F2)
焊料密封扁平封装( FS - 2 )
P4C170
DIP (P3)
文档#
SRAM107
REV A
1
修订后的2005年10月